Si在水汽中氧化传质机制的H218O/H216O同位素示踪研究

采用同位素H216O/H218O接续氧化同位素示踪方法,研究了单晶硅在1100 ℃水汽中氧化的微观传质机制.在H216O,H218O分别氧化和H216O/H218O接续氧化处理后,研究氧化产物形态和结构.并用二次离子质谱仪(SIMS)研究了同位素16O和18O在氧化膜中浓度分布.结果表明H2O蒸汽中氧化产物为非晶态SiO2.H216O/H218O接续氧化后,16O与18O在氧化膜中呈渐次梯度分布,表明Si在水汽中的氧化传质机制为替位扩散机制.     

Si在水汽中氧化传质机制的H218O/H216O同位素示踪研究

采用同位素H₂¹⁶O/H₂¹⁸O接续氧化同位素示踪方法,研究了单晶硅在1100 ℃水汽中氧化的微观传质机制.在H₂¹⁶O,H₂¹⁸O分别氧化和H₂¹⁶O/H₂¹⁸O接续氧化处理后,研究氧化产物形态和结构.并用二次离子质谱仪(SIMS)研究了同位素 关键词： 同位素示踪 2¹⁸O')" href="#">H₂¹⁸O 替位扩散 硅     

同位素示踪法研究铜薄膜在水汽中的氧化传质机理

采用H¹⁶₂O/H¹⁸₂O接续氧化并结合同位素示踪方法,研究了铜薄膜在水汽中氧化的传质机理.将真空热蒸发制备的铜薄膜样品,分别在H¹⁶₂O,H¹⁸₂O中以及H¹⁶₂O/H¹⁸₂O接续进行氧化处理;利用X射线衍射(XRD)研究了氧化产物的形态和结构 关键词： 同位素示踪 短路扩散 铜薄膜 18₂O')" href="#">H¹⁸₂O