氮化镓外延单晶中束缚激子辐射复合的偏振特性

研究发现,氮化镓外延单晶中束缚于中性施主中心和受主中心上的束缚激子BED°和BEA°的复合发光,具有偏振特性。这种偏振特性,会随激发光的强度发生变化。当激发光的强度在104W/cm2和106W/cm2间变化时,偏振度首先以二次方的规律随激发光强的增强而增加,而后超于饱和。本文首先用单轴晶体中介电函数的各向异性解释了荧光固有偏振度的起因,继而采用束缚激子间相互作用的电偶极子模型解释了荧光偏振度随激发光光强的变化规律。     

高密度激发下CdS中束缚激子与激子的散射发光

本文在液氦温度下在CdS中观测到一个新的发光峰,并提出束缚激子与激子非弹性散射发光模型对该峰的产生和特性进行了解释。     

用MOS方法研究四元混晶In0.75Ga0.25As0.58P0.42中的深能级中心

采用MOS方法,在液相外延生长的n型In_0.75Ga_0.25As_0.58P_0.42混晶中,我们测出了两个位于导带下面0.20eV和0.48eV处的电子陷阱,对电子的俘获截面分别为1.4×10^-16cm²和3.8×10^-12cm²。关于采用MOS方式研究具有多层结构的化合物半导体材料的DLITS问题,本文也进行了讨论。 关键词：     

用MOS方法研究四元混晶In_(0.75)Ga_(0.25)As_(0.58)P_(0.42)中的深能级中心

采用MOS方法,在液相外延生长的n型In_(0.75)Ga_(0.25)As_(0.58)P_(0.42)混晶中,我们测出了两个位于导带下面0.20eV和0.48eV处的电子陷阱,对电子的俘获截面分别为1.4×10~(-16)cm~2和3.8×10~(-12)cm~2。 关于采用MOS方式研究具有多层结构的化合物半导体材料的DLITS问题,本文也进行了讨论。