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1.
报道了2个取代三联吡啶配体(4′-苯基-2,2′:6′,2″-三联吡啶(L1)和4′-二茂铁基-2,2′:6′,2″-三联吡啶(L2)的Co(Ⅱ)配合物(Co(Ⅱ)(L1)2)(ClO4)2.4CH3CN(1)和(Co(Ⅱ)(L2)2)(ClO4)2H2O(2)的合成及配体L2的配合物1和配合物2的晶体结构,电化学研究表明:在配合物2中,由于Co^2+的作用,二茂铁基的氧化电位较配体L2中的二茂铁 相似文献
2.
合成了3个分别以C2O^2-4(「Cu2(L1)2(ox)」,1),AcO^-(「Cu2(AcO)(L2)2」BF4,2)和酚氧(「Cu29L302」(ClO4)2,3)为桥基的双核铜配合物,并测定了1的复配合物「Cu2(L1)2(ox)」「Fe(OH)2(H2O)4」ClO4.H2O及2和3的晶体结构。 相似文献
3.
4.
APPLICATION OF WAVELET TRANSFORM TO BIFURCATION AND CHAOS STUDY 总被引:2,自引:0,他引:2
I.IntroductionThetypesofmotionforanonlinearvibrationsystemmaybeperiodic,quasiperiodicorchaotic.Foragivensetofparametersofthesystem,Poincarkmap,powerspectral,waveformandLyapunovexponentareusuallyutilizedtoseewhethertheresponseofthesystemischaoticornot,butitisdiftlculttodeterminepreciselytheexistingdomainsorattractingbasinsofdifferenttypesofmotionsinparametricspaceorinitialvaluespaceonlyfromgraphicsstudy,andcomputingLyapunovexponentistimeconsuming.Aswavelettransformcanreveallocalpropertyinboth… 相似文献
5.
从分子离子H3 及其氘化同位素分子离子D3 和HD2 与超薄固体膜相互作用发生库仑爆炸为基础,分析讨论了H3 ,D3 和HD2 三种分子离子的形成机理,根据产物能谱分布,利用库仑爆炸技术确定了同位素分子离子HD2 的结构形式,给出具体核间距数值.并确定在实验中不存在线状结构的HD2 .提出一种三原子分子离子和固体相互作用中尾流效应的处理方式,通过和实验结果做比较发现这是一种非常理想的处理三体尾流效应的模式,并用之进一步确认了HD2 的结构形状.文章对H3 ,D3 和HD2 三种分子离子的实验结果做了对比和讨论. 相似文献
6.
7.
9.
10.
采用离子注入法研究了Co离子注入ZnO晶体的光致发光效应。 对离子注入后的样品在Ar气保护下进行退火处理, 退火温度为700 ℃, 退火时间为10 min, 在其光致发光谱中观察到了406和370 nm的紫光发射峰。 对比了Co, Cu离子分别注入的ZnO晶体的光致发光谱, 观测到二者的光致发光谱类似。 同时, 研究了Co离子注入剂量对样品发光性质的影响, 结果表明随注入剂量的增加绿色发光中心逐渐向低能边偏移, 分析认为绿色发光中心的偏移与离子注入后ZnO晶体的禁带宽度发生改变相关。 In this paper, ion implantation techniques were used to study the photoluminescence(PL) of the Co implanted crystal ZnO. After Co ion implanted, the samples were annealed at 700 ℃ for 10 min in Ar gas flow. It was observed violet emission peak of 406 and 370 nm in the PL spectrum. The PL spectra of the ZnO crystal samples which were implanted by Co ions and Cu ions, respectively, have been compared and observed that the PL spectrum of the Co implanted ZnO is similar to that of the Cu implanted ZnO. We studied the influence of implantation dose on the PL of the Co implanted ZnO and found that the green luminescence centre shifted with increasing of implantation dose. It is concluded that the shift of the green luminescence centre is related to the change of ZnO band gap which was caused by ion implantation. 相似文献