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低温氮化硅薄膜的介电性能研究   总被引:3,自引:1,他引:2       下载免费PDF全文
研究了微波电子回旋共振等离子体化学汽相沉积低温氮化硅薄膜在5—106Hz频率范围内的介电性能.由于低温氮化硅薄膜为具有分形结构的纳米非晶薄膜,致使氮化硅薄膜的介电谱、损耗谱在低频区和高频区具有两种不同的分布规律.在低频区介电谱具有ε′∝ωn-11的关系,n1在0.82—0.88之间,是电子跳跃导电的结果;在高频区介电谱具有ε′∝ωn-12的关系,n2在0 关键词:  相似文献   
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采用分光光度法对赛克洛托成分进行分析。绘制TNT标准曲线,首先测定赛克洛托中TNT的含量,然后用100%减去TNT的含量即可求得RDX的含量。该方法简便、快速,测定结果与传统萃取法测定结果相吻合,可以取代萃取法应用于实际生产中。  相似文献   
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