利用表面波的差频以产生远红外辐射

本文提出在金属-非线性晶体界面上实现表面波差频产生远红外辐射的方案。具体地计算了在非共线匹配情况下Al-GaAs界面上远红外辐射的功率。计算中考虑了各介电常数的虚部。 关键词：     

电子在固体中的运动

固体(本文指结晶体)的主要特性是其原子或分子的规则排列.不同晶体各种物理性质上的千差万别(例如有金属、半导体和绝缘体之分),都深刻地与电子在晶体中的能量状态及运动规律相联系着. 在晶体中,一个电子的运动是与数目众多的格点上的原子(或分子)以及数目更多的其它电子的运动相关联.物理学家们分析了各种实验和数据,颇费心思地将这种多体问题简化为单电子问题,建立了可信赖的单电子模型──能带论. 一、自由电子气模型1.电子公有化-自由电子气 以金属钠为例来说明这个模型.金属钠为体心立方结构.每个原子在闭壳层外有一个价电子.这个电子…     

GaSb单晶空间生长

空间的微重力给晶体生长提供了一个消除自然对流、由纯扩散控制的生长环境,为提高晶体质量创造了条件,引起晶体生长研究人员的关注.中国科学院物理研究所和日本东京大学电子工程系合作,1992年在中国第14颗返回式卫星上成功地生长了一根φ6 mm×30 mm外形完整的GaSb单晶.对空间生长的晶体的研究显示：晶体在空间生长部分无Ⅰ类生长条纹,表明晶体生长时既无自然对流也没有Marangoni对流.位错密度测定表明,晶体在空间生长期间熔体未与坩埚器壁接触时生长的晶体位错密度接近于零,而熔体与坩埚器壁接触后位错密度迅速增高.详细叙述了该晶体的生长和研究,分析了微重力对晶体生长的影响,并对空间晶体生长的发展提出看法.     

INFLUENCE OF INTERFACE KINETICS ON THE RELAXATION BEHAVIOR IN SOLUTION SYSTEM FOR CRYSTAL GROWTH UNDER MICROGRAVITY

The influence of the interface kinetics at the growth face of a crystal and at the surface of material of solute source on the relaxation behavior in a solution system for crystal growth under microgravity is studied. Because the variation of the solution density caused by the solute concentration change can be omitted and only that caused by the temperature change is taken into account, the interface kinetics does not influence the relaxation behaviors of the fluid velocity and the temperature distribution index S_θ (see text). The relaxations of the concentration distribution index S_φ (see text) and dimensionless average growth rate of crystal \bar{V}_cg are calculated under the square pulsed fluctuations of the gravity level or the temperature at the growth face of crystal. Introduction of the interface kinetics makes the value of S_φ enlarged and the perturbation peak of the S_φ-τ curve caused by the gravity level or temperature fluctuation lowered. While the perturbation peak and the valley of the \bar{V}_cg-τ curve caused by the negatively and positively pulsed temperature fluctuation, respectively, is lowered and shallowed by the interface kinetics.     

用非共线二次谐波法实现对锁模激光器超短脉冲宽度的测定

用非共线自相关SHG方法测量了Nd:YAG被动锁模激光器的脉冲宽度。非线性晶体ADP的取向是使仅在两束光都存在时才有位相匹配的SHG。两束寻常光之间的夹角在晶体中是20°50′。SHG出现在它们的角分线方向上;倍频输出是非寻常光。所测得的自相关函数的宽度对应着Nd:YAG被动锁模激光器的脉冲宽度为24ps。 关键词：     

反射三次谐波产生与晶体对称性

在单晶硅和经离子注入的硅样品上测得了反射三次谐波。像我们的理论计算中所证明的那样,当样品绕表面法线转动时,线偏振的三次谐波强度显示了晶体的旋转对称性,对于轻注入的样品,存在一个注入剂量的临界值,高于此值,三次谐波信号与转动无关。作为剂量的函数,三次谐波强度对晶格损伤极为敏感。这使三次谐波技术可以在半导体工艺中用作监测离子注入的均匀程度。 关键词：     

被动锁模激光器涨落模型的改进

本文对被动锁模激光器的涨落模型作了改进。用计算机对脉冲在激光器中发展的过程作模拟计算,从增益系数达到阈值时开始计算,并按自发辐射计算确定初值光强。计算中考虑了泵浦速率、激光上能级寿命及激光在增益介质处和在可饱和吸收体处的光束截面比。对钕玻璃和Nd:YAG两种情况作了计算。计算结果表明:(1)当泵浦速率超过阈值15—20％时,就得不到置信度超过93％的完善锁模。(2)最佳的光束截面比对于钕玻璃为1/2到1之间,对于Nd:YAG大于2。(3)为获得完善的锁模,染料透过率必须在一定范围之内(与损耗系数及光束截面比有关)。如果用同一种染料,对于钕玻璃的染料透过率应该高于对于Nd:YAG的透过率。最后指出了Glenn的计算中的一些缺点。 关键词：     

超短光脉冲的单延迟三次相关测试

超短光脉冲的对称性可以用单延迟三次相关测试来测定,若再与二次相关测试所得的结果进行比较,可以得到更多的关于脉冲形伏的信息,经测定,Nd:YAG被动锁模激光器的脉冲形状可近似认为高斯-指数形,三次相关函数宽度为22.3ps+15.7ps,对应脉冲宽度为27ps,脉冲的前沿陡于后沿。 关键词：     

一种新的激光器锁模方法的理论计算

本文对采用一个反射率随光强而变的非线性反射镜进行被动锁模的激光器提出一个涨落模型,并用此模型对Nd:YAG激光器改变各种参量,对两种非线性晶体(KTP和KDP)进行计算机模拟,根据模拟计算预言了实现完善锁模的最佳条件和激光器的最佳参量。 关键词：     

微重力条件下溶液系统中晶体生长的模拟计算

我们曾对在微重力条件下溶液系统中的晶体生长作了较系统的模拟计算,本文对此作了总结。详细介绍了计算方法,并对获得的有关空间晶体生长的一些有意义的结论作了概括和讨论