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采用化学气相沉积方法,在无催化剂的条件下,通过改变衬底位置在Si(100)衬底上制备出了高取向的磷掺杂ZnO纳米线和纳米钉.测试结果表明,当衬底位于反应源上方1.5 cm处时,所制备的样品为钉状结构,而当衬底位于反应源下方1 cm处时样品为线状结构.对不同形貌磷掺杂ZnO纳米结构的生长机理进行了研究.此外,在ZnO纳米结构的低温光致发光谱中观测到了一系列与磷掺杂相关的受主发光峰.还对磷掺杂ZnO纳米结构/n-Si异质结I-V曲线进行了测试,结果表明,该器件具有良好的整流特性,纳米线和纳米钉异质结器件的开启电压分别为4.8和3.2 V. 相似文献
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采用化学气相沉积法,在没有采用任何催化剂的条件下,在Si(100)衬底上成功制备出Sb掺杂大尺寸ZnO纳米棒,并对样品进行了结构和光学性质的表征。结果表明:纳米棒为结晶质量较好的六角纤锌矿结构,在能量色散谱(EDS)中观测到了Sb元素的存在。此外,在低温光致发光(PL)光谱中还观测到了与Sb掺杂相关的中性受主束缚激子发光峰(A0X)、自由电子到受主能级跃迁的发光峰(FA)、施主受主对(DAP)以及DAP的一级纵向光声子伴线(DAP-1LO),因此证实Sb元素作为受主杂质掺杂已进入ZnO晶格。 相似文献
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采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,计算了卤族元素掺杂对金属-MoS_2界面性质的影响,包括缺陷形成能、电子能带结构、差分电荷密度以及电荷布居分布.计算结果表明:卤族元素原子倾向于占据单层MoS_2表面的S原子位置;对于单层MoS_2而言,卤族元素的掺杂将在禁带中引入杂质能级以及导致费米能级位置的移动.对于金属-MoS_2界面体系,结合Schottky-Mott模型,证明了卤族元素的掺杂可以有效地调制金属-MoS_2界面间的肖特基势垒高度.发现F和Cl原子的掺杂将会降低体系的肖特基势垒高度.相比之下,Br和I原子的掺杂却增大了体系的肖特基势垒高度.通过差分电荷密度和布居分布的分析,阐明了肖特基势垒高度的被调制是因为电荷转移形成的界面偶极矩的作用导致.研究结果解释了相关实验现象,并给二维材料的器件化应用提供了调节手段. 相似文献
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