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在 10 5~ 30 0K温区内 ,测量了X射线激发下Ce3+ ∶LiSrAlF6晶体发光强度的温度依赖 (I T) ,在 2 37~30 0K温区内发光强度有特殊的增强结构 ,结合 10 5~ 30 0K温区内热释光的测量 ,证实这种发光强度的增强效应是由于陷阱参与发光过程所导致。通过对热释光曲线的进一步分析 ,得到深度分别为 0 5 1eV和 0 5 5eV的陷阱能级 ,这些陷阱主要源于Ce3 + 取代Sr2 + 所形成的杂质缺陷和基质LiSrAlF6中的F-空位以及Li+ 空位所形成的本征缺陷。 相似文献
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紫外激光晶体Ce3+:LiSrAlF6发光温度依赖中的陷阱效应 总被引:1,自引:0,他引:1
在105-300K温区内,测量了X射线激发下Ce^3 :LiSrAlF6晶体发光强度的温度依赖(I-T),在237-300K温区内发光强度有特殊的增强结构,结合105-300K温区内热释光的测量,证实这种发光强度的增强效应是由于陷阱参与发光过程所导致,通过对热释光曲线的进一步分析,得到深度分别为0.51eV和0.55eV的陷阱能级,这些陷阱主要源于Ce^3 取代Sr^2 所形成的杂质缺陷和基质LiSrAlF6中的F^-空位以及Li^ 空位所形成的本征缺陷。 相似文献
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