叶绿素A较高激发态的发光

采用激发样品表层和样品中心两种激发方式,在300K和77K温度下研究叶绿素A(Chla)的较高激发行为,观测到峰值位于493、520和580nm三条新的荧光发射带.分别测量它们的荧光激发光谱,证明这三条新的荧光带属于Chla的第二激发单线态向基态的不同振动能级的辐射跃迁发光.最后提出电子跃迁模型,同时进行了讨论.     

直流电致发光器件在脉冲电压激发下光电特性的测量

我们用单极性脉冲电压激发ＺｎＳ－Ｍｎ，Ｃｕ粉未发光器件并测量了光电特性。研究了不同形成电压下脉冲电流同脉冲电压的关系；过电压激发下积分亮度的变化；积分亮度同激发脉冲的频率和占空比的关系。我们也测量了一个脉冲期间在发光器件年的瞬态电压变化，看到了负阻效应。     

叶绿素A(Chla)溶液发光同浓度的关系

我们在发光研究中,采用激发样品表层方法抑制自吸收—再发射的作用,得到较好结果,Chla己烷溶液和Chla乙醇溶液,在低浓度均有发光主峰683nm和次峰720nm,Chla己烷溶液发光在浓度为1×10-5M时开始浓度猝灭;Chla乙醇溶液发光,在5×10-4M时仍未见明显浓度猝灭。Chla己烷溶液发光,在不同浓度下,发光峰位基本不变,在高浓度尚有弱峰760nm。Chla己烷溶液发光主峰663nm随浓度增加向长波方向移动。     

凝聚相中叶绿素A荧光偏振光谱线型分析

本文报导了用氩离子激光器488nm线偏振光激发时叶绿素A(Chla)己烷溶液在12.5K下偏振荧光的实验结果。在波数为11200～20000cm-1范围内得到了完整的偏振荧光数据,并用计算机对仪器响应进行了校正。若把Chla单体、二聚体和齐聚体均视为荧光性杂质中心,则多中心荧光偏振度公式可写成:P(λ)= 。用该公式进行了数值模拟计算,得到几种典型的P(λ)谱图,发现每一个高斯分量Ii同P(λ)函数的一个峰,谷或肩呈现明显的对应关系。据此对chla的荧光偏振光谱的线型进行了分析和讨论。Chla单体、二聚体和齐聚体的不同激发态的荧光发射分量,均表现为Pλ曲线上的峰、谷或肩。实验结果与数值模拟计算预期的线型完全一致。     

ZnSe－ZnS量子阱的光学非线性

ＺｎＳｅ－ＺｎＳ量子阱的光学非线性张希清，范希武，申德振，杨爱华，陈连春，吕有明，陈一民（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）半导体量子阱及超晶格材料具有室温激子效应以及强的光学非线性从而得到人们广泛的重视．利用半导体量子阱和超晶格可以制备出...     

光系统Ⅰ反应中心叶绿素分子的电子自旋共振谱

本工作采用直接测量大豆、菠菜完整叶片ESR谱的方法,证实了我们制备的离体叶绿素A二聚物确系(Chla·H₂O)₂在紫外光和He-Ne激光诱导下,其自由基信号和大豆完整叶片的信号Ⅰ具有同一起沅,从而可以用它来模拟研究大豆叶片中反应中心的结构和功能。指出了自由基理论分析完整大豆叶片ESR谱的适用性。     

ZnSe-ZnS超晶格的通光蚀孔及列阵研究

用MOCVD方法在GaAs衬底上生长ZnSe-ZnS超晶格.用化学腐蚀方法在GaAs衬底上开一个通光窗口,使该窗口上仅剩有1～1.8μm厚的生长层.室温下测量了蚀孔后由于化学腐蚀造成生长层表面差异的ZnSe-ZnS超晶格的吸收光谱.研究了带有生长过渡层和无过渡层的超晶格质量对其吸收光谱性能的影响.发现过渡层的存在保护了超晶格激子吸收性能.在此基础上首次采用新工艺在3×3mm2面积上把GaAs衬底金部腐蚀掉,剩下均匀、光滑的ZnSe-ZnS超晶格层,在其上做出了300×300μm2的列阵,为在ZnSe-ZnS超晶格上实现光学双稳的集成化提供了必要条件.     

叶绿素a齐聚物的n值判定及其光谱特证

光合作用是绿色植物利用太阳能将二氧化碳和水有效地转化为有机物质的过程。大体上可以把它分成原初过程、电子传递、光合磷酸化和碳同化四个阶段。其中,光能吸收、传递和转化的过程,称为原初过程,它是光合作用研究的关键的第一步。一般认为原初反应是在光合单位(PSU)里进行的[1,2],其中叶绿素起着十分重要的作用[2,3,4]。     

蛋白质和植物色素等生物分子的发光

天然蛋白质和植物色素的发光系属于生物发光。所谓生物发光通的冷光发射。