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1.
1引言 近年来,利用构效关系寻找特效试剂已成为国内外研究的热门课题.改变物质的组成和结构是寻找高灵敏度、高选择性试剂的重要途径.N-1,1'-(3,3'-二羧基-4,4'-联苯撑)-双-(3-N-羟基-3-N-苯基三氮烯),是目前报道的对镍、铜灵敏度最高的显色剂,常用于镍、铜离子的定性检测.由于该物质的水溶性不好,不能在光度分析上应用.本文介绍在联苯苯环对应的3C位置中分别引入羧基双偶氮化后,再与苯基羟胺反应,合成NCPHPA.由于在一分子中增加两个羧基,不仅使试剂的溶解性有很大的提高,且对钼表现出很强的选择性和很高的显色灵敏度.本文介绍NCPHPA的合成方法,并用紫外吸收光谱、红外吸收光谱、核磁共振波谱、质谱等方法论证了产物的结构.简述了NCPHPA在光度分析中性能.将NCPHPA应用于光度法测定痕量钼,E4566达3.52×106 L·mol-1·cm-1,较文献报道钼的高灵敏显色反应,εmax提高了15倍,重现性亦较满意,用于痕量钼的测定,结果与AAS法一致. 相似文献
2.
We study two-player quantum games of incomplete information in which both the sides have partial information.The previous results of Du et al. [Phys. Rev. E 68 (2003) 016124] are incorporated in our more general formalism.Because of different roles played by the total information uncertainty and the information asymmetry, the game exhibits many interesting features. 相似文献
3.
4.
Erbium-doped CW and Q-switched fiber ring laser with fiber grating Michelson interferometer 总被引:2,自引:0,他引:2
The band-pass characteristic of fiber grating Michelson interferometer is analyzed, which acts as bothband-pass filter and Q-switch. An erbium-doped fiber ring laser based on fiber grating Michelsoninterferometer is implemented for producing single longitudinal mode CW operation with 5 MHz spectrallinewidth and up to 6 mW output power. In Q-switched operation, stable fiber laser output pulses withrepetition rate of 800 Hz, pulse width of 0.6 μs, average power of 1.8 mW and peak power of 3.4 W aredemonstrated. The peak power and average power of the Q-switched pulses are varied with the repetitionrate. 相似文献
5.
联吡啶钌(Ⅱ)电致化学发光原理及其在流动注射分析和高效液相色谱法中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了联吡啶钌(Ⅱ)电致化学发光的原理以及在流动注射分析和高效液相色谱法中的应用情况,引用文献36篇。 相似文献
6.
介绍了联吡啶钌(Ⅱ)电致化学发光的原理以及在流动注射分析和高效液相色谱法中的应用情况,36篇。 相似文献
7.
利用氧荧光猝灭原理研制了台式生化需氧量(BOD)传感检测仪器。仪器的工作系统由检测系统和软件系统两部分组成。该检测仪操作简便,检测快速,可进行海水BOD含量的现场检测。仪器的性能考察结果表明,在0.5~50mg/L浓度范围内BOD响应的线性相关系数为0.9978。实际海水样品的检测结果显示,仪器对海水样品的平行测定结果相对标准偏差小于±5%,并且与标准五日生化需氧量(BOD5)方法所获得的数值的相关性为0.99。仪器具有较长的使用寿命和良好的稳定性。 相似文献
8.
A silicon-on-insulator (SOI) high performance lateral double-diffusion metal oxide semiconductor (LDMOS) on a compound buried layer (CBL) with a step buried oxide (SBO CBL SOI) is proposed.The step buried oxide locates holes in the top interface of the upper buried oxide (UBO) layer.Furthermore,holes with high density are collected in the interface between the polysilicon layer and the lower buried oxide (LBO) layer.Consequently,the electric fields in both the thin LBO and the thick UBO are enhanced by these holes,leading to an improved breakdown voltage.The breakdown voltage of the SBO CBL SOI LDMOS increases to 847 V from the 477 V of a conventional SOI with the same thicknesses of SOI layer and the buried oxide layer.Moreover,SBO CBL SOI can also reduce the self-heating effect. 相似文献
9.
10.