高T_cNb-Ge超导膜的制备及分析

用直流吸气溅射法获得了Tc1)起始等于23K的Nb-Ge膜.对样品进行了分析,初步总结了高Tc-A15Nb3Ge的成相规律,对与Tc密切相关的因素进行了讨论. 引 言 很多A15型化合物具有超导电性且其超导转变温度Tc很高.1973年,Gavaler首次用直流低电压,高Ar气压力溅射法获得Tc起始温度为 22K的     

吸气溅射装置

我们研制了一台吸气溅射装置,使用普通真空系统.文中介绍了吸气溅射原理及装置的结构.并用溅射Nb_3Ge的条件,制备了Nb膜,超导转变温度为8.95K.     

超导Nb-Ge溅射膜的俄歇电子能谱及电子能谱化学分析

利用表面分析仪器俄歇电子能谱(AES)仪和电子能谱化学分析(ESCA)仪对超导Nb-Ge溅射膜进行表面和深度剖面分析,以探讨在溅射沉积成膜过程中A15结构Nb₃Ge能够稳定生长的机制,以及影响其转变温度T_c的因素。分析结果表明,超导Nb-Ge膜中含有O,C和Al等杂质,其中O的含量对T_c有重要影响。表面上未发现有聚集的Ge。Nb/Ge密度比由表面层的3.1向内部逐渐降至2.26。X射线光电子能谱(XPS)的分析表明:Nb,Ge,C和O的谱峰沿深度均有不同程度的化学位移和峰形变化,这明这些元素的化学态在膜内是复杂的。但其中Nb的变化最小,可能对高T_cA15Nb₃Ge相的生长起稳定作用。 关键词：     

YBCO/CeO_2/LaAlO_3夹层膜的界面研究

用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）结合透射电子显微镜（ＴＥＭ）对磁控溅射法制备的ＹＢＣＯ／ＣｅＯ２／ＬａＡｌＯ３夹层膜中的元素在各层间的扩散行为进行了研究．结果表明，ＣｅＯ２作为一种缓冲层，能够阻挡住基底ＬａＡｌＯ３中元素向ＹＢＣＯ膜的扩散和ＹＢＣＯ膜中元素向基底的扩散，其本身向ＹＢＣＯ膜中的扩散也不多．ＴＥＭ的分析表明，ＣｅＯ２能保持完好的晶格结构，在其上能得到结构完整的高质量ＹＢＣＯ膜     

YBCO／CeO2／Si多层膜超导材料的分析电镜研究

在具有ＣｅＯ２隔离层的Ｓｉ基片上获得了较高质量的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ（ＹＢＣＯ）高温超导薄膜。在零磁场下，７７Ｋ时其临界电流密度达到１×１０６Ａ／ｃｍ２。研究发现，ＹＢＣＯ的（００１）面平行于Ｓｉ基片的（１００）面，而ＣｅＯ２过渡层由许多约４０ｎｍ×１００ｎｍ的细小ＣｅＯ２晶粒组成，其取向呈散乱分布。尽管ＣｅＯ２和Ｓｉ之间的晶格错配很小（约０．４％），ＣｅＯ２却不能在Ｓｉ上外延生长，而ＹＢＣＯ却能在取向凌乱的ＣｅＯ２上形成［００１］择优取向。ＣｅＯ２和Ｓｉ的界面处有一层极薄的过度层。ＹＢＣＯ和ＣｅＯ２界面存在Ｙ２ＢａＣｕＯ５（２１１相）。在ＹＢＣＯ薄膜中观察到有与１２３相混生的２４８相。     

YBCO双外延结的X射线Φ扫描分析

用射频磁控溅射法在（１００）ＳｒＴｉｏ３单晶衬底上外延生长ＭｇＯ导引层，光刻刻蚀去一半后沉积生长ＣｅＯ２外延膜，再直流溅射外延生长ＹＢＣＯ超导膜，得到了４５°转向结。用Ｘ射线θ－２θ扫描和φ扫描研究了各外延膜的结构和取向。