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<正> 在半导体工艺中各种外延生长的薄膜,以及各种氧化薄膜(如SiO_2),氢化薄膜(如SiH)等厚度的测量,目前一般用金相显微镜法,但是测量前样品必需经过化学腐蚀,是一种有损测量法。我们根据薄膜干涉原理,利用红外光谱仪,很简便的、快速的、无损的测量了各种薄膜厚度。原理及计算公式入射光束I_0由空气射到薄膜表面,反射光束R_1和R_0之间的光程差为(见图1): 相似文献
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