低密度SiO2气凝胶的结构与吸附特性研究

 低密度SiO₂气凝胶是一种新型纳米多孔材料,它不仅可作为惯性约束聚变的低温冷冻靶,还可作为HTO蒸汽的吸附剂用于放射性物质的环境监测。用SEM、TEM、BET、孔径分布等测试方法对低密度SiO₂气凝胶的微结构进行了研究;分别以水和苯作为吸附介质, 用吸附天平对其吸附特性进行了测试,并用BET吸附理论对其吸附结果进行了解释。     

掺杂C60的SiO2气凝胶的制备及荧光特性研究

利用“化学掺杂”方法，制备掺杂C₆₀-SiO₂气凝胶，对掺杂C₆₀-SiO₂气凝胶的红外吸收光谱、飞行时间质谱的测试表明C₆₀分子被成功地掺入SiO₂气凝胶中．室温条件下，在Ar⁺激光（488nm）激发下，观察到掺杂C₆₀-SiO₂气凝胶有很强的可见发光现象，发光峰位较纯C₆₀发光明显蓝移 关键词：     

实验条件对纳米多孔SiO2薄膜结构及特性的影响

关键词：     

SiO2气凝胶薄膜常压制备与强化研究

采用溶胶凝胶技术,结合碱性催化和低表面张力溶剂交换以及非活性CH3基团置换修饰,在常压条件下成功地制备了孔隙率为77%、折射率为1.12纳米多孔SiO2气凝胶薄膜.采用氨和水蒸气混合气体热处理技术提高薄膜的耐磨性、附着力等力学特性.使用透射电镜(TEM)、扫描电镜(SEM)分别观察了溶胶的颗粒结构和薄膜表面形貌.应用傅里叶转换红外光谱仪(FTIR)研究了薄膜经表面基团修饰前后的红外吸收光谱以及后处理对薄膜红外ω4(TO3)吸收峰位置和半宽度的影响.采用椭偏仪测量薄膜的厚度和折射率.耐摩擦和附着力测试表明: 关键词： SiO_2气凝胶薄膜 溶胶凝胶技术 纳米多孔结构     

惯性约束聚变实验用平面薄膜的制备及其表面图形的引入

平面薄膜是ICF分解实验的重要靶型,以半导体技术结合重掺杂自截止腐蚀制备厚度为3－4um的Si平面薄膜,以热蒸发结合脱膜工艺制备Al平面薄膜,两者的表面粗糙度分别为30nm和10nm左右;进一步采用离子束刻蚀在平面薄膜的表面引入网格或条状图形,获得测量成像系统像传递函数的刻蚀膜,控制离子束刻蚀工艺的参数以实现图形的精确转移。     

驱动光束不均匀性研究中的硅平面薄膜

 介绍以氧化、扩散、光刻等现代半导体技术结合化学腐蚀工艺实现对Si片的定向自截止腐蚀,制备获得用于研究驱动光束不均匀性的自支撑Si平面薄膜的工艺。通过台阶仪测量厚度在3~4 μm的Si平面薄膜,在扫描范围为1000 μm时,它的表面粗糙度在几十nm;SEM测量表明,Si薄膜表面颗粒度在纳米量级;探讨采用控制扩散、腐蚀参数和表面修饰处理来降低Si膜表面粗糙度的方法。     

高折射率光学薄膜的化学法制备研究

 报道了一种以ZrOC₁₂·8H₂O为源,溶胶-凝胶法制备高激光负载高折射率薄膜的新方法。薄膜采用旋转镀膜法制备,对薄膜的结构、光学特性及激光损伤阈值进行了测量,有机粘接剂对薄膜折射率及机械强度的影响也作了探讨。以该薄膜与SiO₂溶胶凝胶膜交替涂覆制成的多层高反膜,剩余透过率仅0.98%,激光损伤阈值达16J/cm²（3ns）。