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为了研究飞秒激光对光电探测器光学性能的影响,本文对飞秒脉冲激光辐照CsPbBr3背靠背肖特基光电探测器的损伤特性,以及不同激光功率密度下的光电性能进行了研究。利用化学气相沉积法在ITO叉指电极上沉积CsPbBr3微米晶薄膜,制备了背靠背肖特基型全无机钙钛矿光电探测器。利用脉冲宽度为35 fs的钛宝石飞秒激光器辐照CsPbBr3光电探测器,通过显微镜观察不同激光功率密度下CsPbBr3多晶薄膜的损伤形貌,并研究了不同功率密度损伤下肖特基结构的钙钛矿光电探测器的光电性能变化。结果表明:自制的全无机金属卤化物肖特基光电探测器具有较高的损伤阈值,达到了2.1 W/cm2,并且在样品轻度损伤的情况下,样品的光电特性出现了一定程度的提升,光谱响应度出现了50 nm的展宽,并且在部分薄膜受热脱落后,器件仍然保持一定的光电探测性能。 相似文献
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In this paper, the limitations of the common method measuring intrinsic spatial resolution of the GEM imaging detector are presented. Through theoretical analysis and experimental verification, we have improved the common method to avoid these limitations. Using these improved methods, a more precise measurement of intrinsic spatial resolutions are obtained. 相似文献
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报道了采用等离子体辅助分子束外延方法(P-MBE),利用NO作为N源和O源,在c-面蓝宝石(c-Al2O3)衬底上外延生长了N掺杂ZnO薄膜。X射线衍射谱(XRD)和吸收谱中都出现了不同于未掺杂样品的特性,X射线光电子谱(XPS)中也发现了N的受主信号。但是在霍尔效应(Hall-effect)测量中,发现该样品并没有出现预期的p型导电特性,而是出现载流子浓度很高(2.15×1020cm-3)的n型导电特性。结合XPS结果和理论分析,认为在富Zn条件下生长会导致过量的填隙Zn原子,补偿了全部的受主后,又促使其出现了从半导体-金属的Mott转变。 相似文献
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ZnO薄膜中的高的背景电子浓度能够对p型掺杂形成补偿,从而对p型掺杂造成障碍,了解高背景电子浓度的来源有助于对p型掺杂的研究。本文采用分子束外延技术在不同真空度下在a面蓝宝石衬底上生长了一系列氧化锌薄膜,发现在低真空度下生长的样品的载流子浓度较高,为1019 cm-3量级;而高真空度下生长的样品,其载流子浓度比低真空生长的样品显著降低,降低了3个数量级。在相同条件下生长的样品,通过不同的后处理手段进行处理后,其电子浓度未发生明显变化,说明氧空位等本征缺陷不是ZnO薄膜中电子的主要来源,高背景电子浓度应该与生长过程中非故意引入的杂质相关。通过低温光致发光表征,发现低真空度下生长的样品在低温下3.366 eV处有强的施主束缚激子发光峰,而高真空度下生长的样品的此发光峰显著变弱。由此,高电子浓度被归结为与生长过程中非故意引入的氢杂质相关。 相似文献
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由于在日盲紫外探测方面的应用前景,具有合适带隙的MgZnO合金半导体薄膜受到越来越多的关注。获得具有择优取向的单一相MgZnO对提升MgZnO基日盲紫外探测器性能至关重要。本文利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)方法在m面蓝宝石衬底上制备了一系列不同组分的MgxZn1-xO薄膜。光学和结构特性测试结果表明:Zn摩尔分数达到55%的Mg0.45Zn0.55O薄膜依然是单一立方相,其光学带隙可以达到4.7 eV。立方岩盐结构MgZnO与m面蓝宝石衬底的外延结构关系为(110)MgZnO‖(1010)sapphire、[001]MgZnO‖[1210]sapphire和[110]MgZnO‖[0001]sapphire。唯一确定的面内取向有利于薄膜晶体质量的提高。基于(110)取向立方相Mg0.45Zn0.55O薄膜制备金属-半导体-金属(MSM)结构器件,获得了光响应峰在260 nm、光响应截止波长278 nm的日盲紫外探测器。 相似文献
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近年来 ,由于半导体量子点 (QD)材料可望提高器件的光电特性而成为研究的热点。如以量子点作为激活层的激光器 (L D)与量子阱 LD相比会有更低的阈值电流 ,更高的增益和特征温度。 - 族半导体量子点的研究主要集中在Cd Se/Zn Se[1~ 4 ] ,近年来也有 Zn Se/Zn S[5] 、Cd Te/Zn Te[6 ] 的报道。量子点的制备大多使用分子束外延 (MBE)方法 [7] ,而以金属有机化学气相淀积 (MOCVD)法生长的 Cd Se/Zn Se[8]量子点一般为 V-W模式。 Stranski-Krastanow(S-K)模式生长量子点与其他方法如电子束刻蚀等相比 ,具有方法简单、表面缺陷少… 相似文献
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