气垫导轨上运动物体加速度测量方法的改进

利用计数计时测速仪测量气垫导轨上滑块运动的加速度,其测量精度直接依赖于2个光电门之间距离的测量,而在实验中该距离的测量往往不易达到很高的精度,致使加速度的测量精度不高.对计数计时测速仪的电路和单片机程序稍加修改,使之能测出滑块从一个光电门运动到另一个光电门所需时间,就无需测量2个光电门之间的距离,因而提高了加速度的测量精度,节约单片机的资源并缩短运行时间.     

复合广义齐次Poisson过程的多险种破产概率

本文推广了经典的复合泊松风险模型，建立了两类复合广义齐次poisson过程的多险种破产模型．对于新模型，我们得到了初始资本为u的破产概率φ(u)的精确表达式以及特殊情况下φ(0)的表达式，并且导出了调节系数方程和调节系数R的上下界．     

一个素变数丢番图不等式

本文证明了如果1相似文献   

血清蛋白-荧光素复合物单扫极谱波与应用

在0．08mol／L的HAc中，荧光素与牛血清白蛋白(BSA)或人血清白蛋白(HSA)相互作用形成复合物。复合物使荧光素在-0．58V(vs．SCE)处的还原峰电流增大，峰电流的增大值与加入的BSA或HSA的浓度在一定的范围内呈线性关系。BSA在2—24μg／mL范围内呈线性关系，检出限为1μg／mL；HSA在2—22μg／mL范围里呈线性关系，检出限为0．8μg／mL。应用该法测定了人血清蛋白样品，结果令人满意。     

纳米Sm2O3掺杂CeO2粉末的制备和性能表征

以Ce2(CO3)3和Sm2O3为原料, 用改进的氨水-双氧水沉淀法制备了CeO2和(CeO2)0.8为基质(Sm2O3)0.2的纳米粉末.对干燥后的氢氧化物进行了TG/DSC热分析, 约650 ℃时Ce(OH)4完全转变为CeO2.XRD分析表明, 650 ℃焙烧的粉末为萤石结构, 说明Sm2O3已固溶到CeO2中.经TEM测试, 粉体颗粒大小在5～10 nm之间, BET测试的平均颗粒尺寸为11.2 nm.由TEM照片还可以看出粉体具有良好的分散性, 且无硬团聚体存在.     

二氮陆环衍生物Ⅲ.——α,ω-双(1-取代基-4-二氮陆环基)烷类盐酸盐及1,2-双(1’-取代基-4’-二氮陆环基乙氧基)乙烷盐酸盐的合成

本文报告两类二氮陆圜衍生物:(α,ω-双(1-取代基-4-二氮陆圜基)烷类盐酸盐,及l,2-双(1’-取代基-4’-二氮陆圜基乙氧基)乙烷盐酸盐)的制备。α,ω-双(1-乙氧碳酰基-4-二氮陆圜基)烷类、及α,ω-双(1-二乙氨基碳酰基-4-二氮陆圜基)烷类,可由1-取代基二氮陆圜与相当的α,ω-二溴烷,经碳酸氢钠作用制成。 1.2-双(1’-乙氧碳酰基-4’-二氮陆圜基乙氧基)乙烷、及1,2-双(1’-二乙氨基碳酰基-4’-二氮陆圜基乙氧基)乙烷,可由1,2-双(β-氯乙氧基)乙烷先和碘化钠作用,制成碘化物,然后再与相当的1-取代基二氮陆圜经碳酸氢钠作用制成。上述两类化合物的1-甲基二氮陆圜衍生物,均系由过量的1-甲基二氮陆圜,与相当的α,ω-二溴烷或1,2-双(β-氯乙氧基)乙烷在乾燥苯中作用制成。     

Sm2O3掺杂CeO2纳米粉体的烧结动力学

对Sm2O3掺杂CeO2纳米粉体的烧结性能进行了研究, 得出等速烧结过程中试样的线收缩率、密度、气孔率随烧结温度的变化规律, 它们随烧结温度的变化均呈"S"型曲线关系, 利用非线性回归了等速烧结过程动力学方程. 结果表明, Sm2O3掺杂CeO2纳米粉体的烧结过程分为3个阶段, 当烧结温度低于1000 ℃时, 线收缩率与密度变化较小, 处于烧结的初期; 在1000～1400 ℃时, 随着烧结温度的升高, 线收缩率与体积密度急剧增大, 材料开始烧结并致密化; 当烧结温度高于1400 ℃时, 线收缩率与体积密度趋于一恒定值, 材料已经致密化. 由归一化速率方程可知, 在T=1225 ℃时, 材料的烧结致密化速率最大.     

Sinc切趾布拉格光栅谱合成特性

谱合成是获得高功率激光输出的有效方法。反射布拉格光栅衍射旁瓣是影响谱合成效率的主要因素。建立了sinc切趾布拉格光栅谱合成理论模型,采用传输矩阵法,分析了光栅参数对切趾光栅衍射特性的影响,以及入射光束光谱宽度和发散角对谱合成效率的影响。计算结果表明：sinc切趾布拉格光栅可有效抑制衍射旁瓣的影响,其一级衍射旁瓣和二级衍射旁瓣的峰值分别由62%和36%下降为0.57%和0.12%。通过优化光栅参数,利用sinc切趾布拉格光栅可实现窄光谱间距、高谱合成效率的多光束谱合成。切趾后,在10 nm的带宽内,参与谱合成光束的数目由7束增加为25束。对于波长为1 064 nm和1 064.4 nm的两束光谱合成,当入射光束光谱宽度小于0.15 nm,且发散角小于0.8 mrad时,谱合成效率达90%以上。     

第一性原理计算N掺杂对InNbO4电子结构的影响

宽带隙（3.83 eV）半导体光催化材料InNbO4在紫外光作用下具有分解水和降解有机物的性能。最近实验发现了N掺杂InNbO4具有可见光下分解水制氢的活性。为了从理论上解释这一实验现象，本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算了N掺杂对InNbO4的能带结构、态密度和光学性质的影响。分析能带结构可得，N掺杂后在InNbO4的价带（O 2p）上方形成N 2p局域能级，导致电子跃迁所需的能量减小。吸收光谱表明，N掺杂后InNbO4的光吸收边出现了红移，实现了可见光吸收。