排序方式: 共有14条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
2.
3.
4.
5.
本文采用热脱附(TDS的实验方法,以多孔性Porapak微球为样品,测定了氧气、乙醇分子在PorapakQ、N两种样品上的脱附级数n和脱附活化能Ed,并与气相色谱法测定的吸附热作了比较。得出Ed≥ΔH令人满意的结果。 相似文献
6.
7.
用分子束外延生长了23周期的Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格,用计算机控制的衍射仪(Cu K_α辐射)测量了X射线衍射曲线,共观察到13级超晶格结构的衍射峰。超晶格的周期和Ge平均含量可以根据考虑折射修正的布喇格定律得出。用光学多层膜反射理论分析衍射曲线可以确定超晶格的结构参数,第2级衍射峰与第一级峰的强度比对应于超晶格两种材料的相对厚度变化非常灵敏,通过比较实验和计算的I_2/I-1值,可以确定Si,Ge_xSi_(1-x)层的厚度以及合金组份x。用光学多层膜反射理谁计算得到的衍射曲线与实验曲线趋于一致。 相似文献
8.
用分子束外延生长了23周期的GexSi1-x/Si超晶格,用计算机控制的衍射仪(CuKa辐射)测量了X射线衍射曲线,共观察到13级超晶格结构的衍射峰。超晶格的周期和Ge平均含量可以根据考虑折射修正的布喇格定律得出。用光学多层膜反射理论分析衍射曲线可以确定超晶格的结构参数,第2级衍射峰与第一级峰的强度比对应于超晶格两种材料的相对厚度变化非常灵敏,通过比较实验和计算的I2/I1值,可以确定Si,GexSi1-x层的厚度以及合金组份x。用光学多层膜反射理谁计算得到的衍射曲线与实验曲线趋于一致。
关键词: 相似文献
9.
由极性半导体GaAs,GaP 等和非极性半导体Ge,Si等构成的异质结构,为高速集成和光电子集成技术的发展提供了新的机会,同时也为基础物理研究提出了新的课题.本文简要介绍极性/非极性半导体异质结构的制备和特性方面的一些基本问题及其在器件应用方面的发展现状. 相似文献
10.