直拉法生长Y_3Al_5O_(12)(YAG)单晶体中的位错和包裹物

通过光双折射貌相法研究了YAG单晶体中位错、包裹物以及生长层间的关系,结果表明,包裹物优先吸附于固液界面上的位错露头点,而包裹物的大小与该处生长台阶的大小有关。     

LiNbO_3和LiTaO_3单晶体中亚晶界位错结构的研究

本文应用透射法和超显微法对用金缀饰后的LiNbO_3和LiTaO_3单晶体进行了直接观测,观察到两种晶体中亚晶界的三维面貌,对亚晶界进行了极图分析,并进一步用Frank公式进行了定量验证。 通过对位错网及三叉亚晶界的分析,表明该类晶体中存在的位错的Burgers矢量是:最短点阵平移矢量——六角晶胞的基矢<1210>,次短点阵平移矢量——菱胞基矢1/3<111>,以及再次短点阵平移矢量——菱胞短体对角线分1/3<2021>。     

LiNbO3晶体中包裹物和位错的X射线形貌研究

用X射线透射扫描形貌方法研究了LiNb0₃晶体中的包裹物和位错。在实验中发现了包裹物的相应于不同衍射矢量的X射线形貌与基于各向同性理论预言的形貌之间存在分歧,这被解释为弹性各向异性效应。同时还观察到Burgers矢量为最短点阵平移矢量1/3的纯刃型位错和次短点阵平移矢量1/3<0111>的纯螺型位错,以及由该螺型位错组成的纯扭转晶界。 关键词：     

直拉法生长的YAG单晶体中组分过冷引起的针状应力区和位错

本文研究了掺钕的YAG(Y₃Al₅O₁₂)晶体在组分过冷条件下,固液界面的形态演变以及产生的钕离子的富集区。该富集区在正交偏光下表现为针状应力区。利用光弹方法确定了该应力为压应力,且应力分布具有圆柱对称性。通过浸蚀法和双折射貌相法观察到在钕富集区边界处存在位错列,并测定了位错的线密度。其结果与根据钕的浓度差值估计的密度大体符合。故认为这些位错是钕富集区边界处点阵失配所引起的。 关键词：     

直拉法生长的GGG和YAG单晶体中螺型位错的双折射像

在直拉法生长的GGG和YAG单晶体中,从实验上首次获得了沿位错线观察的(viewed end-on)螺型位错的双折射像,确立了沿位错线观察和垂直于位错线观察(viewed from the side)的双折射像间的一一对应关系,以及与蚀斑间的一一对应关系,并基于石榴石晶体弹-光性质的各向异性,给出了沿位错线观察的螺型位错双折射像的成像规律,得到了理论与实验一致的结果。 关键词：     

直拉法生长Y3Al5O12(YAG)单晶体中的位错和包裹物

通过光双折射貌相法研究了YAG单晶体中位错、包裹物以及生长层间的关系,结果表明,包裹物优先吸附于固液界面上的位错露头点,而包裹物的大小与该处生长台阶的大小有关。 关键词：     

在具有长程应变场的GGG晶体中螺型位错的应力双折射像

基于弹性各向同性和弹光各向异性的考虑, 获得了长程应变场中沿位错线观察的螺型位错双折射像的解析表达式以及其计算机模拟像, 成功地解释了G G G 晶体中实验观察到的螺型位错像所具有的两瓣一黑一白的衬度特征. 关键词：     

LiNbO3和LiTaO3单晶体中亚晶界位错结构的研究

本文应用透射法和超显微法对用金缀饰后的LiNbO₃和LiTaO₃单晶体进行了直接观测,观察到两种晶体中亚晶界的三维面貌,对亚晶界进行了极图分析,并进一步用Frank公式进行了定量验证。通过对位错网及三叉亚晶界的分析,表明该类晶体中存在的位错的Burgers矢量是:最短点阵平移矢量——六角晶胞的基矢<1210>,次短点阵平移矢量——菱胞基矢1/3<0111>,以及再次短点阵平移矢量——菱胞短体对角线分1/3<2021>。 关键词：     

在具有长程应变场的GGG晶体中螺型位错的应力双折射像

基于弹性各向同性和弹光各向异性的考虑,获得了长程应变场中沿位错线观察的螺型位错双折射像的解析表达式以及其计算机模拟像,成功地解释了GGG晶体中实验观察到的螺型位错像所具有的两瓣一黑一白的衬度特征。 关键词：