Mn/GaAs(100)界面电子结构的同步辐射光电子能谱研究

利用同步辐射光电子能谱,研究了室温下在GaAs(100)表面上淀积的Mn的超薄膜的电子结构.实验发现,在θ<2ML的覆盖度下,Mn3d电子的能量态密度分布与体金属α-Mn差别很大当θ>2ML之后,便逐步接近α-Mn的体电子结构.这一结果可由Mn3d电子的自旋向上带和自旋向下带的交换分裂很好地解释.由此推断,当覆盖度θ<2ML时,在GaAs(100)表面上淀积的Mn的超薄膜具有磁有序结构 关键词：     

Fe/Cu(110)表面CO吸附HREELS和ARUPS研究

Fe/Cu(110)表面CO吸附HREELS和ARUPS研究     

氮化铝薄膜中的二次谐波产生

利用X射线衍射技术对用直流反应磁控溅射技术沉积在蓝宝石基底(100)晶面上的氮化铝(AIN)薄膜进行了晶体结构分析,对X射线衍射图样的分析结果表明：用该法沉积在蓝宝石基底(100)晶面上的AIN薄膜为单晶膜;利用脉宽为10ns、重复频率10Hz、最大平均功率为20W、单脉冲的最大能量为2J的Nd：YAG脉冲激光器对其进行了二次谐波产生的实验研究,对实验结果进行分析表明：沉积在蓝宝石基底(100)晶面上的AIN薄膜能在一个很宽的入射角度范围存在有效二次谐波的输出;且输出的二次谐波功率相对于AIN薄膜的表面法线成对称分布,这表明该AIN薄膜的表面法线方向即为AIN的光轴方向。     

Na在Si(111)表面(3×1)有序吸附结构的光电子能谱研究

分析了Si(111)7×7表面上Na(3×1)有序吸附的同步辐射光电子能谱的变化,并与Paggel等的扫描隧道显微镜和光电子能谱比较,得出Na吸附在类余留原子(rest atom)的位置,支持Mnch的模型,与室温下无序吸附Na的光电子能谱相比较,得出Na-Si界面肖特基势垒形成是由Na与Si原子之间的相互作用决定,与表面构形是否有序关系不大,势垒高度与MIGS理论预计值相符。     

二元微透镜阵列在密集多载波波分复用器中的应用

介绍了采用位相平衡设计法设计优化的二元微透镜阵列，并应用于工作波长为１．５３６￣１．５６４μｍ，通信间隔４ｎｍ的８通道光栅型密集波分复用器。设计并计算了二元微透镜各单元的位相结构和接收光纤端面上的衍射远场分布，最后讨论了当采用单模和多模接收光纤时，二元微透镜阵列部分引入的损耗及其在多模接收光纤中激起的基模比例。     

杨-顾算法在波分复用器中的应用

把杨-顾算法用在新型纯相位型解复用器的整体设计中，通过设定输入输出面H₁，H₂上应该具有的强度分布，来设计H₁，H₂相位片上应该具有的相位分布．用纯相位调制的方式实现解复用器的分光、聚焦等综合功能，大大简化了解复用器件的结构．同时在应用杨-顾算法的过程中，对算法本身作了拓展，应用于输入面是二维高斯光束，在输出面仍是二维高斯光束的情形． 关键词：     

第二红边带激发时强度涨落对两囚禁离子纠缠度的影响

利用双光子T-C模型研究了两囚禁离子与第二红边带经典激光场相互作用时的纠缠动力学。采用共生纠缠度标准,分析了两离子初态情况,激光强度涨落等主要因素对两离子纠缠动力学的影响,并与单光子J-C模型时情形作了适当对比。结果显示：1) 激光强度涨落产生的噪声使两离子纠缠度随时间呈现类似指数衰减;2) 两离子初态为混合态时,两离子纠缠度出现整体急剧下降;3) 双光子和单光子激发时两离子纠缠度随时间的演化存在显著差别。     

Na/Si(111)3×1表面的NEXAFS研究

利用同步辐射光源测量Na2s二次电子部分产额谱得到Na诱导Si（111）3×1结构的近边Ｘ射线吸收精细结构（NEXAFS）谱，并用原子集团多重散射方法对几种可能的模型进行计算，与实验结果比较，认为Na/Si（111）3×1吸附结构与Mnch模型相一致．Na原子吸附在Si的顶位，Na—Si键长为0.3nm． 关键词：     

第二红边带激发时强度涨落对两囚禁离子纠缠度的影响

利用双光子T-C模型研究了两囚禁离子与第二红边带经典激光场相互作用时的纠缠动力学.采用共生纠缠度标准,分析了两离子初态情况,激光强度涨落等主要因素对两离子纠缠动力学的影响,并与单光子J-C模型时情形作了适当对比.结果显示:1)激光强度涨落产生的噪声使两离子纠缠度随时间呈现类似指数衰减;2)两离子初态为混合态时,两离子纠缠度出现整体急剧下降;3)双光子和单光子激发时两离子纠缠度随时间的演化存在显著差别.     

Fe／C（110）表面CO吸附HREELS和ARUPS研究

通过高分辨率电子能量损失谱和角分辨紫外光电子能谱等表面分析手段研究了ＣＯ在１ＭＬ／Ｆｅ／Ｃｕ（１１０）表面的吸附性质，在该双金属表面存在两种吸附态－明显倾斜的低频吸附态和其Ｃ－Ｏ伸缩频率明显高于ＣＯ在Ｆｅ甚至略高于在Ｃｕ单晶面的顶位吸附态。