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报道了我们在Li2B4O7、Sr3Ga2Ge4O14、LiNbO3、LiTaO3等声表面波用压电晶体材料方面的最新研究进展.采用改进型坩埚下降法成功生长了直径3~4英寸的Li2B4O7晶体,并实现了批量生产.作为硅酸镓镧系列新型压电晶体之一,Sr3Ga2Ge4O14晶体具有最大的压电系数.报道了直径2英寸Sr3Ga2Ge4O14晶体的生长结果,测试了该晶体的压电性能.在CO2(90;)、H2(10;)混合气氛中,分别在700℃和450℃下对LN和LT晶片进行化学还原处理,成功制备了3英寸LN和LT低静电黑片,不仅减少了器件制作工序,而且使成品率提高了5~8百分点.此外,在密封坩埚中生长了低静电LiNbO3晶体,观察到一些新的现象. 相似文献
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Nd3+:Sr3Ga2Ge4O14晶体的生长及吸收光谱 总被引:1,自引:1,他引:1
采用坩埚下降法生长了Nd3+掺杂浓度分别为15;、8;和2.5;原子分数的Sr3Ga2Ge4O14晶体,所得晶体最大尺寸为φ26mm×15mm.Nd3+掺杂Sr3Ga2Ge4O14晶体的特征吸收峰波长为806nm,与Nd3+离子在YAG中的特征吸收峰相比,向短波方向发生了微小的偏离.这是Sr3Ga2Ge4O14晶格中Ga3+和Ge4+的统计分布所致.Nd3+:SGG晶体的这些特性将有助于泵浦效率的提高和泵浦阈值的降低,因此Nd3+:SGG晶体有望成为一种新型的LD泵浦固体激光材料. 相似文献
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氧化物晶体的坩埚下降法生长 总被引:4,自引:2,他引:4
本文评述了氧化物晶体坩埚下降法生长的一些研究进展,重点介绍我们研究所在压电晶体、非线性光学晶体、弛豫铁电晶体、闪烁晶体、声光晶体、光折变晶体等方面的研究工作.从技术创新的角度探讨了氧化物晶体坩埚下降法生长工艺的新发展,如连续供料坩埚下降法、熔剂坩埚下降法等. 相似文献
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诺贝尔奖金获得者、著名的实验高能物理学家丁肇中教授在西欧核研究中心(CERN)领导进行一项大规模的科学实验L_3,即模拟宇宙初开时大爆炸过程,弄清楚宇宙最基本的东西“层子”是什么?这次实验不仅规模大,设备材料也复杂。用16台大计算机、7千吨铁、1千吨铝、3百吨铀,还有10吨锗酸铋(BGO)晶体。这种晶体是上海硅酸盐研究所的科学家们研制提供的。本刊特约请该所撰文介绍这种新型闪烁晶体材料的特性、组成、结构、发光机理、物系相图、单晶生长原理,以及化学组成与结构缺陷、晶体闪烁性能的共系,说明了近代化学、材料科学在高技术领域中不可忽视的作用。 相似文献