介绍一种光谱能连续随外加电压改变的结型器件——金属-绝缘体-金属隧道发光二极管

众所熟知的一些结型发光器件是PN,MIS及MS结等,这些器件的发光光谱都是由半导体材料性质决定的,所以一种器件一般说只能发出一种颜色的光谱。对于直接跃迁型Ⅲ—Ⅴ族发光材料,例如GaAs0.6P0.4的PN结发光二极管,发光光谱取决于禁带宽度,所以只能发出红光;而直接带的Ⅱ-Ⅵ族材料,例如ZnSe:Mn肖特基二极管在反向偏压下的发光则利用杂质中心Mn的发光,只能得到黄色。目前人们已成功地制得了红色GaAsP,GaP、GaAlA以及黄色和绿色的GaP发光二极管。但这类器件的光谱并不随外加电压改变。     

扩展段式发光二极管显示器

近几年来,为了使小尺寸的发光二极管(LED)片子变成较大的发光段,在LED工业上已出现一种扩展段式显示器。这种显示器的重要特征是:(1)段的均匀性,(2)视角,(3)光输出,和(4)价钱。本文描述了一种新型设计,它在上述四方面都表现了显著的优点。 这种设计特别注意了光散射问题。LED片放在光学腔的底部,并用环氧树脂灌满使它浸渍住。环氧树脂中掺入玻璃屑,后者可成为光的散射中心。由于环氧树脂的折射率和玻璃屑的折射率不同,因而发生散射。光产生于LED片,再被散射,而呈现在画有段条的腔顶表面。(图1)     

氢气氛对光纤损耗特性的影响

本文测量了100,130,150和180℃下、1atm氢气氛中的MCVD多模光纤损耗谱的变化。研究了分子氢和氢氧根分别在1.24μm,1.41μm引起的损耗增加,由实验结果推出损耗增加与时间、温度关系的经验公式,估算了室温下(20℃)20年后1.3μm,1.55μm的损耗增加。 关键词：     

掺Er3+光纤的γ射线辐射特性

本文研究掺Er³⁺光纤的γ射线辐射特性,发现在800到1600nm之间损耗都有显著的增加,有的增加800倍之多。光纤的γ射线辐照损耗特性具有β射线辐照类似的规律性。用γ射线的康普顿效应半定量地解释了这种类似性。对γ射线辐照损耗进行紫外线UV漂白,表明比热退火有更好的效果,能使损耗恢复50%。指出选用原子序数小的元素作光纤掺杂剂会有利于光纤抗辐照性能的提高。 关键词：     

用瞬态电容谱法研究GaAs1-xPxLED深能级及其对发光的影响

本文利用瞬态电容潜(DLTS)法测量了不同效率的GaAsxPxLED的深能级浓度、深度、俘获截面.发现效率高LED仅有一个明显的电子深能级△En=0.15eV和一个很弱的△En=0.33eV电子深能级,它们的俘获截面都小于1.5×10-14cm2,总的能级浓度小,约为1.4×1015cm-3.效率差的两只LED一般除有两个以上的电子能级还有两个空穴能级,它们的俘获截面甚至大到2.2×10-12和1.3×10-13cm2;从DLTS图还可以发现谱峰高而宽,说明杂质浓度大,总浓度分别为6.3×1015cm-3和3.4×1015cm-3.讨论了深能级对发光效率的影响.     

发光二极管(LED)亮度与效率的测量

有一光源A向四周发射能量,在每单位时间内通过某个面积的能量流称为辐射通量p,单位是瓦。同样是一瓦的光,但波长不同,引起眼睛的视觉并不一样。譬如眼睛对5550A的光最敏感(明视觉,即亮度要大于毫朗伯≈1呎朗伯,LED亮度比这亮,能满足这个条件)。我们取此处的视觉灵敏度Φ5550A=1,则其他各处视觉不灵敏,故φλ<1。实际上在λ=5550A处一瓦的功率全变成光功率E_(5550A)(单位流明)为680流明,即光功当量K_m=680流明/瓦,其他各处一瓦只能变成小于680流明,即     

掺氧化硼应力棒的杂质含量研究

用红外吸收法测量了熊猫光纤掺氧化硼应力棒的ＯＨ根含量，用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）仪测量硼、硅、氧和氮的含量，用扫描电子显微镜测量锗分布、芯／包界面的阴极射线发光（ＣＬ）等。对ＯＨ根基波与谐波吸收差别进行了理论分析。 关键词：     

制备绿色磷化镓发光二极管的液相外延生长法

用液相外延法可以制备出绿色场致发光磷化镓二极管。在密闭坩埚中装入Ga-GaP熔体,再将它放入垂直炉中。将GaP衬底片插入温度保持在约1110—1140℃的熔体中。从S、Se和Te中选择一种杂质加入熔体,然后缓慢地把温度冷到约1070—1100℃,就可形成n—型GaP薄层。此时用受主杂质(例如Zn或Cd)加入熔体进行反型掺杂,而制得p—型层。然后把衬底拉出熔体使之冷却到周围的温度。为降低串联电阻,对片子的衬底这边可进行磨薄,然后就可制备场致发光二极管。切割或解理下来的小片,分别在它的p侧和n侧制上Au—Zn和Au—Sn合金点。 用上述方法制备的绿色发光二极管的效率约为2.7×10~(-4),如把反反射环氧树脂帽加于二极管则效率可提高二倍以上。二极管可用作平面指示器。     

非掺杂半绝缘LECGaAs的光电流谱

研究了非掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡｓ的非本征室温（３００Ｋ）光电流谱,在０．４－０．７０９ｅＶ范围发现了一个光响应响应宽带Ｍ１。Ｍ１带在０．４６、０．４９、０．５６、０．６５和０．６９ｅＶ处出现五个峰,其中０．４６、０．４９、０．５６和０．６９ｅＶ峰的起始阈值分别为０．４４、０．４７、０．５１和０．６７ｅＶ。本文讨论了Ｍ１带的起源,提出了０．４４、０．４７和０．５１ｅＶ光电阈值与铜受主,ＥＬ３和氧施主     

生长用于发光二极管的GaP晶体的一种新方法

为生长特别适于制备发光二极管用的GaP化合物半导体晶体,发展了一种所谓合成熔质扩散法(SSD)。长成的晶体呈园柱状,由相当大的颗粒组成。生长速率受磷在镓熔液的扩散过程限制。从生长速率可以求得扩散系数,在1100℃是8×10~(-5)cm~2·S~(-1),而激活能是0.65ev。蹄或硫施主杂质从3×10~(17)到4×10~(18)cm~(-3)可重复地掺入,在1150℃的分凝系数分别是0.038和1.0。生长晶体的质量特别好,用改进了的腐蚀液腐蚀晶体几乎看不到碟形坑。仅用单层单次液相外延过程,再通过气相扩散锌就可重复地制出高效率的红色发光结。还研制了一种双层单次外延法,叫作“液相外延生长结”法,并用来制成高效率的绿色LED。用SSD片制备的LED的效率,红光高达7.4％,而绿光高达0.15％。