大光轴角晶体光学定向的经验方程

本文考虑了会聚偏振光干涉图中高折射率、大光轴角晶体的消光影亮度,以及它使消光影从黑十字位到离开偏光显微镜视场的角度增加,从而提高大光轴角厚晶体的光学定向的精确度。 关键词：     

熔盐生长KTiOPO4晶体的层绵成因与克服方法

本文用光学显微术观察了在多磷酸钾盐熔盐中生长的KTiOPO₄(KTP)晶体的表面形态和内部疵病,并借助扫描电子显微镜和能谱分析得到了横贯层绵结构的体过饱和度变化规律。基于上述结果,阐明了在不适当的生长条件下,由于晶面上熔质分布高度不均匀而形成宏观包藏——层绵的原因与过程。当熔液浓度位于稳定生长所需的临界过饱和度区域内,即各处σ均大于该区的下限(～1.3)时,重复长出了无层绵透明的KTP晶体。 关键词：     

LISICON(锗酸锌锂)单晶的Li~ 离子电导

本文研究了Lisicon(锗酸锌锂)单晶的Li~ 离子电导率。发现各结晶学方向电导率之间的关系为σ_b≤σ_a≤σ_c≤σ_[110],但各向异性不强。晶体中Li含量对电导率有明显的影响,当Li/Zn比率由6.7变到9.2时,300℃a方向电导率由4.3×IO~(-2)Q~(-1)·cm~(-1)增加到1.25×10~(-1)Q~(-1)·cm~(-1),logσT对1/T的曲线显示出三个转变点,分别在～80℃,～140℃和～300℃。电导的激活能分别为0.50—0.58eV(25—80℃),0.92eV(～80—140℃),0.64eV(～140—300℃)和0.36eV(>300℃),极化实验表明单晶的电子电导可以忽略。     

提拉生长铌酸锶钠锂晶体的组分过冷及提高晶体品质的研究

本文采用厚晶体抛光、腐蚀、显微观察的方法研究提拉法生长晶体的组分过冷。在高温偏光下研究了铌酸锶钠锂晶体的结构转变温度。采用最佳的生长和工艺条件克服了铌酸锶钠锂晶体的组分过冷和内部生长条纹,提高了晶体的光学均匀性。 关键词：     

大光轴角晶体消光影宽度效应理论及其快速光学定向方法

本文考虑了会聚偏振干涉图中高折射率、大光轴角晶体的消光影宽度效应,以及其使消光影离开偏光显微镜视场角度的增加,得到了消光影双曲线离开视场角度解,使光学定向的精确度有大的提高.本文从正投影波面图出发,论证了消光影宽度效应理论,得出了准确的消光影方程.由该理论得到了消光影双曲线离开或接触视场方程的精确解,并得到实验证实.这个在大光轴角厚晶体上进行定向的方法是方便、快速和有效的.     

LISICON(锗酸锌锂)单晶的Li+离子电导

本文研究了Lisicon(锗酸锌锂)单晶的Li⁺离子电导率。发现各结晶学方向电导率之间的关系为σ_b≤σ_a≤σ_c≤σ_[110],但各向异性不强。晶体中Li含量对电导率有明显的影响,当Li/Zn比率由6.7变到9.2时,300℃a方向电导率由4.3×10^-2Ω^-1·cm^-1增加到1.25×10^-1Ω^-1·cm^-1,logσT对1/T的曲线显示出三个转变点,分别在～80℃,～140℃和～300℃。电导的激活能分别为0.50—0.58eV(25—80℃),0.92eV(～80—140℃),0.64eV(～140—300℃)和0.36eV(>300℃),极化实验表明单晶的电子电导可以忽略。 关键词：