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Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长 总被引:2,自引:2,他引:0
以硒化氢(H2Se)和二甲基锌为源材料,生长温度是300℃时,用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)系统在Si(111)衬底上外延生长了ZnSe薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜的能量色散(EDS)以及光致发光(PL)实验验证ZnSe外延膜的质量,在X射线衍射谱中只有一个强的ZnSe(111)面衍射峰,这说明外延膜是(111)取向的单晶薄膜,在能量色散谱中除了Si,Zn和Se原子外,没有观测到其他原子,说明ZnSe外延膜中杂质含量较少。ZnSe外延膜中Zn/Se原子比接近1,有较好的化学配比。在ZnSe外延膜的77K光致发光谱中没有观测到与深中心发射相关的发光峰,表明ZnSe外延膜的晶格缺陷密度较小。77K时的近带边发射峰447nm在室温时移至465nm附近。 相似文献
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以Sn和SnO为源材料,化学气相沉积法中通过控制反应物配比及载气中的氧含量等宏观实验条件,实现了SnO2一维纳米结构的控制生长,成功获得各种不同横向尺度的SnO2纳米线、纳米带以及直径连续变化的针状纳米结构. 通过扫描电子显微镜、X射线衍射仪对不同实验条件下所制备的样品进行形貌和晶格结构表征,认为高温生长点附近锡与氧的相对含量是控制SnO2一维纳米结构生长的关键因素;并在此基础上对SnO2一维纳米结构的生长机理进行了深入的讨论. 相似文献
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利用Cd(OH)_2选择性包覆与光分解腐蚀缩小CdS纳米微粒的尺寸分布的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
提出结合Cd(OH)2 选择性包覆与光分解腐蚀法缩小CdS纳米微粒的尺寸分布, 并通过对CdS纳米微粒发射光谱的研究证实了这一设计思想. 以多聚磷酸钠(HMP)为稳定剂合成CdS纳米微粒, 再通过Cd2+ 与OH- 的选择性包覆在大粒径的CdS纳米微粒表面形成一层Cd(OH)2, 然后溶液置于日光下辐照处理, 数天后, 未经包覆的小粒径CdS纳米微粒被日光腐蚀分解, 溶液中只剩下被Cd(OH)2 包覆的大粒径CdS纳米微粒, 这样即可达到缩小CdS纳米微粒尺寸分布的目的. 相似文献
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提出结合Cd(OH)2选择性包覆与光分解腐蚀法缩小CdS纳米微粒的 政论发布,并通过对CdS纳米微粒发射光谱的研究产了这一设计思想,以多聚磷酸钠(HMP)为稳定剂合成CdS纳米微粒,再通过Cd^2+与HO^-的选择民覆在大粒径的CdS纳米表面形成一层Cd(OH)2,然后溶液置于日光下辐照处理,数天后,未经包覆的小粒径CdS纳米微粒被日光腐蚀分解,溶液中只剩下被Cd(OH)2包覆的大粒径CdS纳米微 相似文献
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以铁箔为原材料和基片,通过控制热氧化过程中的宏观实验条件(载气流量及其组分、压强、温度分布和反应时间等),实现了α-Fe2O3一维纳米结构的可控生长,获得了大面积(10mm×10mm)、单分散性好、沿[110]方向生长的α-Fe2O3纳米带或纳米线阵列. 对不同宏观实验条件下所制备的样品进行形貌和晶格结构表征和分析,认为热氧化过程中α-Fe2O3一维纳米结构的生长遵循类似气-
关键词:
2O3')" href="#">α-Fe2O3
一维纳米结构
热氧化法 相似文献
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以铁箔为原材料和基片,通过控制热氧化过程中的宏观实验条件(载气流量及其组分、压强、温度分布和反应时间等),实现了α-Fe2O3一维纳米结构的可控生长,获得了大面积(10mm×10mm)、单分散性好、沿[110]方向生长的α-Fe2O3纳米带或纳米线阵列. 对不同宏观实验条件下所制备的样品进行形貌和晶格结构表征和分析,认为热氧化过程中α-Fe2O3一维纳米结构的生长遵循类似气-固机制的顶端生长模式,生长点铁原子和氧原子比是控制α-Fe2O3一维纳米结构生长的关键因素. 相似文献
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以S-K和V-W模式生长ZnCdSe和ZnSeS量子点及其特性 总被引:1,自引:1,他引:0
用低压金属有机化学气相外延(LP-MOCVD)技术,以Stranski Krastanow(S-K)模式,在GaAs衬底上生长了CdSe和ZnCdSe量子点(QDs)。用原子力显微镜(AFM),观测到了外延层低于临界厚度时,CdSe自组装量子点的形成过程,并把其机理归结为表面扩散效应和应变弛豫效应的联合作用。依据理论计算外延层临界厚度值的指导,用LP-MOCVD技术在GaAs衬底上生长了ZnCdSe量子点,详细观测了ZnCdSe量子点的形成和演变,这些过程可用Ostwald熟化过程和形成过程的联合作用来解释。用LP-MOCVD技术,以Volmer Weber(V-W)模式,在GaAs衬底上生长了ZnSeS量子点,随着生长时间的增加,量子点尺寸增大,而量子点密度减少,这些现象可用表面自由能来解释。 相似文献
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CdS/ZnS包覆结构纳米微粒的微乳液合成及光学特性 总被引:6,自引:0,他引:6
利用微乳液法合成CdS纳米微粒,并对其进行表面修饰,得到具有CdS/ZnS包覆结构的纳米微粒,以及收光谱与透射电镜表征其粒度与包覆结构,得到CdS内核的直径为5nm,CdS/ZnS包覆结构总粒径为8~10nm,吸收阈值及发射峰的蓝移起因于量子限域效应,并观测到ZnS的懈覆经CdS纳米微粒的表面态发射、增强带边发射1并使带边发射进一步蓝移。 相似文献