Photoluminescence and persistent luminescence properties of non-doped and Ti4+-doped Mg2SnO4 phosphors

Mg₂SnO₄ exhibits green photoluminescence and persistent luminescence, which originate from oxygen vacancies. When Ti⁴⁺ ions were doped, an interesting Mg₂SnO₄:Ti⁴⁺ phosphor with bluish white photoluminescence under ultraviolet irradiation and with green persistent luminescence was first obtained. Our investigation reveals that two emission centres exist in Mg₂SnO₄:Ti⁴⁺. The centres responsible for the green emission are considered to be the F centres (oxygen vacancies) and the blue centres are the TiO₆ complex. Trap clusters in the band gap with different depths, such as [Sn_Mg^‥—O_i^″], [Sn_Mg^‥—V_O^·], [Sn_Mg^‥—V_O^×] and Mg_Sn^″, correspond to the components at 85 ℃, 146 ℃ and 213 ℃ of the thermoluminescence curve.     

Ca2GeO4 ∶Eu3+ 的电子结构和紫外-真空紫外发光特性的研究

采用高温固相法合成了发光材料Ca₂GeO₄ ∶Eu³⁺ ,并详细研究了其紫外-真空紫外发光特性. 发现并解释了Eu³⁺ 离子在空气中的自还原以及在不同波长激发下的颜色转换现象. Ca₂GeO₄ ∶Eu³⁺ 在163—230和301,466 nm处具有强激发带,表明Ca₂GeO₄ ∶Eu³⁺ 关键词： 2GeO₄ ∶Eu³⁺')" href="#">Ca₂GeO₄ ∶Eu³⁺ 光致发光机理 空气中自还原 颜色转换     

新型电子俘获型光存储材料Sr2SnO4:Sb3+的发光性能研究

采用高温固相法在1300℃的温度获得了一种新型电子俘获型光存储材料 Sr₂SnO₄:Sb³⁺. 结果表明: 208 nm (Sb³⁺ 的¹S₀→¹P₁)和265 nm (¹S₀→³P₁)的紫外光是Sr₂SnO₄:Sb³⁺ 的最有效信息写入光源; 其发射是覆盖400---700 nm的宽带(³P_0,1→^XXS₀), 肉眼可看到淡黄色白光, 色坐标为(0.341, 0.395). 热释光谱研究结果表明: Sr₂SnO₄:Sb³⁺ 有分别位于39℃, 124℃, 193℃和310℃的四个热释峰. 其中, 39~℃的热释峰强度很低, 因而Sr₂SnO₄:Sb³⁺ 只具有不到140 s的微弱余辉. 而310℃的高温热释峰在空置1天后, 仍能保持约45.6%的初始强度, 并对980 nm的红外光有很好的红外上转换光激励响应. 因此, Sr₂SnO₄:Sb³⁺ 是一种具有一定的信息存储应用潜力的新型光存储发光材料.     

新型电子俘获型光存储材料Sr2Sn04：Sb3＋的发光性能研究

采用高温固相法在1300°C的温度获得了一种新型电子俘获型光存储材料Sr2Sn04：Sb3＋．结果表明：208nm（Sb3＋的So-P1）和265nm（1so-3P1）的紫外光是Sr2Sn04：Sb3＋的最有效信息写入光源；其发射是覆盖400-700nm的宽带（3Po1-1So），肉眼可看到淡黄色白光，色坐标为（0．341，0．395）．热释光谱研究结果表明：Sr2Sn04：Sb3＋有分别位于39°C，124°C，193°C和310°C的四个热释峰．其中，39°C的热释峰强度很低，因而Sr2Sn04：Sb3＋只具有不到140S的微弱余辉．而310°C的高温热释峰在空置1天后，仍能保持约45．6％的初始强度，并对980nm的红外光有很好的红外上转换光激励响应．因此，Sr2Sn04：Sb3＋是一种具有一定的信息存储应用潜力的新型光存储发光材料．     

新型光存储材料Sr2SnO4: Tb3+, Li+ 的合成及其红外上转换光激励发光性能的研究

采用高温固相法获得了一种只具有 微弱余辉的新型电子俘获型光存储材料Sr₂SnO₄:Tb^{3 +}, Li ⁺. 发光性能研究结果表明: 该材料对980 nm的红外激光具有很好的上转换光激励信息读出响应, 同时292 nm紫外光为其最佳信息写入光源. 光存储性能研究结果表明: 该材料的浅陷阱较少, 因此其余辉发光很弱, 不到500 s; 另一方面, 该材料中存在大量的深蓄能陷阱. 因此, Sr₂SnO₄: Tb^{3 +}, Li⁺是一种具有较好实际应用价值的新型电子俘获型光存储材料. 此外, 还讨论了Sr₂SnO₄: Tb^{3 +}, Li⁺的光存储发光机理.