半无限准周期原胞半导体超晶格的表面等离子激元

本文把文献[1,2]的方法推广用于一个更普适的模型,导出了一个适用范围较大的条件,由此出发计算了半无限的第Ⅰ类、第Ⅱ类和Ⅱ-Ⅵ族半导体超晶格的表面等离子谱。结果表明,由于准周期原胞超晶格对于垂直于超晶格轴的截面,不存在反映对称性,因之当表面取在原胞的F_m个不同界面上时(F_m,是Fibonacci数),其表面模式有千姿百态的变化。这种变化有一定的规律,因之这方面的研究将使我们有可能根据理论或实验研究的需要,来设计特定的半无限准周期原胞超晶格,使其表面等离子谱具有期 关键词：     

准周期原胞超晶格中的横声子谱

本文计算了准周期原胞超晶格中横弹性波的体和面模式的色散关系,导出了用传输矩阵表述的动力学格林函数,并用以计算了热涨落的谱密度。结果表明由于系统对于垂直于超晶格轴的平面不存在反映对称性,当表面截取在原胞内F_m个不同的界面上时(F_m是Fibonacci数)半无限样品的横声子表面谱呈现F_m种截然不同的形式。     

内电场对纳米硅光致发光谱的影响

从量子限制发光中心模型出发，计算了纳米硅的光致发光（PL）特征与发光中心间的关系. 研究发现，纳米硅与发光中心间的内电场对载流子复合率及峰位振荡有着十分重要的影响. 在2—5 nm的尺寸范围内，纳米硅发光中心上的载流子复合概率远大于内部复合概率，仅需考虑发光中心上的载流子复合发光. 还发现发光中心与纳米硅粒子间的内电场对于纳米硅的发光峰位振荡有着显著的影响.发光中心与纳米硅粒子间的内电场的存在会显著减小纳米硅粒子的内部发光效率以及外部相应发光中心上的发光强度，使得纳米硅PL谱的峰位随纳米晶粒尺寸变化而发生 关键词： 内电场 纳米硅 光致发光 量子限制发光中心     

Ⅰ类和Ⅱ类准周期半导体超晶格的电子子带和波函数

本文将包迹函数近似推广用于计算有理数近似下,垂直于超晶格轴的波矢K_⊥不等于零时,准周期半导体超晶格(QSS)的电子子带和波函数,对K_⊥=0的情形,分别计算了Ⅰ类的GaAs/Al_xGa_1-xAs和Ⅱ类的InAs/GaSb QSS的电子子带和波函数,直至代序数m=9和6。对于价带对导带影响强的InAs/GaSb QSS,分别计算了m=5和6时电子子带随K_⊥的变化关系。并提出了利用本文结果计算Ⅰ类的GaAs/Al_xGa_1-xAs QSS带间集体激发的具体方法。