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利用瞬态包含泵浦抽空的SBS理论模型对独立双池受激布里渊散射系统进行数值模拟,给出了能量转换效率随泵浦功率密度的变化规律。实验验证,理论值与实验结果相吻合。 相似文献
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单晶硅是Eg为1.1eV的间接带隙半导体材料,在可见光区不发光,不能应用于光电子领域.但是,Canham 1990年首次发现[1],适当条件下形成的多孔硅在室温下就可发出强度能与Ⅲ-Ⅴ族半导体发光二极管相媲美的可见光。 相似文献
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在碘蒸气中研究了染料激光稳定性对简并四波混频(DFWM)信噪比的影响。实验中采用多模Nd∶YAG激光器倍频的输出泵浦染料激光器(染料PM580溶于酒精)。在具有前向补偿分光系统和图像探测系统的帮助下,在常温常压条件下测得泵浦光在波长为554.013 nm时达到饱和光强为290 μJ。同时发现染料激光器的光稳定性(输出波长范围,光束质量和能量转换效率等)随使用时间,泵浦激光脉冲次数和能量的增加而逐渐减弱。另外通过对比发现在染料激光器输出不稳定时,光源单色性和指向性等指标的变化导致在同一泵浦强度不同时刻获得的DFWM信号强度相差很大,且DFWM信号信噪比低。染料激光器光源稳定性对DFWM信号影响的研究结果对物质的痕迹量探测以及无荧光物质光谱定标等方面的应用具有重要意义。 相似文献
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TiO2的联吡啶-钌化合物敏化及电子转移过程 总被引:3,自引:0,他引:3
用飞秒时间分辨的泵浦一探测方法对两种联吡啶-钌化合物[3,3'-(LL)]_2Ru(NCS)_2和[4,4'-(LL)]_2Ru(NCS)_2敏化体系的光吸收、电子注入(injection)及电子-空穴复合(recombination)动力学过程作了研究.提出了一个简单有效的计算模型,通过计算拟合得出两种敏化体系的电子注入均在50fs内完成。最后还对光电流谱作了研究,对影响光电转换效率(incidentphoton-to-currentef-ficiency(IPCE))的各种因素作了讨论.结果对太阳光的电能转换和太阳能电池的制作有一定的意义。 相似文献
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利用β-环糊精包裹方酸类化合物(SQ),很好地改善了SQ在纯水体系中的溶解度.包合物中SQ的两个苯环分别嵌入到两个不同的β-环糊精的空腔内,而中间的四元环裸露在外边.方酸类化合物在近红外区强而窄的吸收以及它们对氰化物特有的敏感性使它们成为理想的氰根离子的传感器.β-环糊精的包裹作用使不溶入水的SQ能够直接在纯水体系中选择性识别氰根离子而不需要任何化学修饰. 相似文献
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电化学沉积是半导体薄膜制备的一种简便方法,常用于Ⅱ-族化合物半导体薄膜的制备.通过电沉积条件的适当改变可成功地在导电衬底上制备半导体纳晶薄膜[1].CdSe薄膜作为一种透光性好、导电性好的半导体材料,可进行光学性能和光电性能方面的研究,而半导体纳晶多孔电极的光电化学特性与体材料之间有很大不同.本文采用电化学沉积法制备了CdSe纳晶薄膜并研究了其性能,通过扫描隧道显微镜(STM)形貌分形分析进一步研究其沉积机理. 相似文献
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近年来,半导体纳晶多孔薄膜作为一类重要的纳米结构材料,其光电化学性质及功能特性的研究受到人们广泛关注。由于量子尺寸效应及介电限域效应,它们的光物理、光电化学性质以及电荷传输机理明显异于多晶及单晶体材料。通过简便快捷的涂敷、浸涂或溅射等方法,半导体纳晶多孔薄膜可以在导电衬底上形成。这些薄膜具有高度多孔性、大比表面,易于用有机功能分子或半导体超微粒进行表面修饰[1-2],在太阳能转换[2]、光电子器件或电子变色器件[3]及光催化治理环境污染[4]等方面具有潜在的应用前景。因此,在光电化学、半导体物理及材料科学领域里研究十分活跃。本文采用涂敷及浸涂提拉方法制备了四种具有不同多孔率及比表面的TiO2薄膜电极,并对其晶型、表面形貌微结构及光电化学性能进行了研究。 相似文献
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本工作研究了化合物13-SO3Na-DDHA在不同pH的缓冲溶液中的电化学氧化还原行为。实验证明:化合物中羰基的还原电位与pH之间存在线性关系,其直线的斜率为60mV/pH.并证明了此过程为一步两电子、两质子还原过程:Q+2H++2e=QH2.DMF作为非质子溶剂,具有很好的稳定自由基的作用。向缓冲溶液中加入DMF后,化合物13-SO3Na-DDHA为两步单电子还原过程,相应溶液中的光诱导电子转移吸收光谱证实了以上电化学的结果。 相似文献