高质量InGaN的等离子体辅助分子束外延生长和In的反常并入行为

采用射频等离子体辅助分子束外延技术生长得到了In组分精确可控且高质量的In_xGa_1-xN (x ≤ 0.2) 外延薄膜. 生长温度为580 ℃的In_0.19Ga_0.81N薄膜(10.2) 面非对称衍射峰的半高宽只有587弧秒, 背景电子浓度为3.96× 10¹⁸/cm³. 在富金属生长区域, Ga束流超过N的等效束流时, In组分不为零, 即Ga并没有全部并入外延层; 另外, 稍微增加In束流会降低InGaN的晶体质量. 关键词： InGaN 外延薄膜 射频等离子体辅助分子束外延 In 并入 晶体质量     

Dirac光子晶体

Dirac费米子作为粒子物理中的基本粒子之一,其理论在近年来蓬勃发展的拓扑电子理论领域中被广泛提及并用来刻画具有Dirac费米子性质的电子态.这种特殊的能态通常被称为Dirac点,在能谱上表现为两条不同能带之间的线性交叉点.由于Dirac点往往是发生拓扑相变的转变点,因而也被视为实现各种拓扑态的重要母态.作为可与拓扑电子体系类比的拓扑光子晶体因其独特的潜在应用价值也受到人们的广泛关注,实现包含Dirac点的光子能带已成为研究拓扑光子晶体的核心课题.本文基于电子的拓扑理论,简要地回顾了Dirac点在光子系统中的研究进展,特别介绍了如何在光子晶体中利用不同晶格对称性实现在高对称点/线上的Dirac点,以及由Dirac点衍生的Weyl点.     

Chiral p-wave pairing of ultracold fermionic atoms due to a quadratic band touching

We study the superfuild ground state of ultracold fermions in optical lattices with a quadratic band touching. Examples are a checkerboard lattice around half filling and a kagome lattice above one third filling. Instead of pairing between spin states, here we focus on pairing interactions between different orbital states. We find that our systems have only odd-parity(orbital) pairing instability while the singlet(orbital) pairing instability vanishes thanks to the quadratic band touching. In the mean field level, the ground state is found to be a chiral p-wave pairing superfluid(mixed with finite f-wave pairing order-parameters) which supports Majorana fermions.     

1 eV吸收带边GaInAs/GaNAs超晶格太阳能电池的阱层设计

使用In, N分离的GaInAs/GaNAs超晶格作为有源区是实现高质量1eV带隙 GaInNAs基太阳能电池的重要方案之一. 为在实验上生长出高质量相应吸收带边的超晶格结构, 本文采用计算超晶格电子态常用的Kronig-Penney模型比较了不同阱层材料选择下, 吸收带边为1 eV的GaInAs/GaNAs超晶格相关参数的对应关系以及超晶格应变状态. 结果表明: GaNAs与GaInAs作为超晶格阱层材料在实现1 eV的吸收带边时具有不同的考虑和要求; 在固定1 eV的吸收带边时, GaNAs材料作为阱层可获得较好的超晶格应变补偿, 将有利于生长高质量且充分吸收的太阳能电池有源区. 关键词： GaInAs/GaNAs超晶格 Kronig-Penney模型 太阳能电池     

用双截面应变量测方法研究岩石冲击凿入特性

在一维细长杆中，通过任意不重合的两个截面处的应变测试，就可以计算出杆中任一截面处的应变和质点速度等物理量，并且可以分离出顺波和逆波。本文不但在实验上和理论上对该方法进行了证明，而且成功的将其用于岩石冲击凿入特性的研究，得出了一些有意义的结果     

Higher-Order Topological Spin Hall Effect of Sound

We theoretically propose a reconfigurable two-dimensional(2 D) hexagonal sonic crystal with higher-order topology protected by the six-fold,C₆,rotation symmetry.The acoustic band gap and band topology can be controlled by rotating the triangular scatterers in each unit cell.In the nontrivial phase,the sonic crystal realizes the topological spin Hall effect in a higher-order fashion:(i) the edge states emerging in the bulk band gap exhibit partial spin-momentum correlation and are gapp...