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通过实验测量和理论分析, 从载流子动力学角度研究了用于脉冲辐射探测的CVD金刚石薄膜探测器的适用结构、电荷收集效率和时间响应性能. 结果表明, CVD金刚石薄膜可以制成均匀型结构的探测器; 薄膜中的缺陷会降低探测器的电荷收集效率, 探测器的电荷收集效率随场强增大而增大直至饱和. 已研制的CVD金刚石探测器电荷收集时间可达719ps, 在2.5V/μm场强下达到饱和, 电荷收集效率
达60.5%; 晶格散射是影响探测器时间响应的主要因素, 选用大晶粒甚至单晶金刚石薄膜可以提高探测器时间响应. 相似文献
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A chemical vapour deposition (CVD) diamond film detector was prepared and the main characteristics for pulsed proton detection were studied at Beijing Tandem Accelerator. The result shows that the charge collection efficiency of the detector increases with increasing electric field intensity and reaches to 9.44% at 5 V/μm with the charge collection distance of 15.9 μm. The relationship between the sensitivity of the detector and proton energy is consistent with the Monte Carlo (MC) simulation result. Its plasma time for a pulse with 4.85×10^5 protons is 1l.2ns. The dose threshold for onset of damage under 9MeV proton irradiation in the detector is about 10^13 cm^-2. All of the results show that a CVD diamond detector has fast time response and high radiation hardness, and can be used in pulsed proton detection. 相似文献
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In this paper, properties on pulsed radiation detections of ZnO:Ga crystal grew by a magnetron sputtering method were studied. The time response to pulsed laser, pulsed hard X rays and single α particles, the energy response to pulsed hard X ray, the scintillation efficiency to γ rays, the response to pulsed proton, and the relations of the light intensity varied with the proton energy were measured and analyzed in detail. Results show that the ZnO:Ga crystal has potential applications in the regime of pulse radiation detection. 相似文献
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利用中国原子能科学研究院核工业放射性计量测试中心的5SDH-2串列加速器进行了ST-401薄塑料闪烁体的能量响应实验.选用T(p,n)3He反应和D(d,n)3He反应作为中子源,子源,中子束流采用复合屏蔽体进行准直,源强采用正比计数管和半导体望远镜进行监测,实验测量了厚度从0.16mm到2.00mm的八种规格薄闪烁体的能量响应曲线,对实验的结果的不确定度进行了分析.结果表明探测器的灵敏度随着晶体厚度的增加而增加,对于一定厚度的薄闪烁体,随着中子能量的增加,探测器的能量响应曲线坡度不大.
关键词:
塑料闪烁体
能量响应
正比计数器
半导体反冲质子望远镜 相似文献
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高能质子入射到金属接收体表面诱发的二次电子直接影响束流强度的测量精度,如何消除二次电子影响是实现束流高精度测量的关键.根据高能带电粒子在金属表面诱发二次电子发射理论,对高能质子束流强度测量的二次电子补偿原理进行了研究,设计了二次电子补偿结构.采用三块金属极板构成的实验装置在高能质子源上开展实验研究,实验测得在中间极板上输出的电流与入射质子束流强度的比值小于0.7%,中间极板上二次电子得到补偿,验证了二次电子补偿原理的正确性.研究表明,采用设计的二次电子补偿结构对高能质子束流强度进行测量时二次电子贡献小于1%. 相似文献
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研制出CVD金刚石薄膜探测器,在国家串列加速器和60Co稳态辐射源上分别完成了该探测器对9 MeV质子束流和1.25 MeV γ射线的辐照性能研究。结果表明:该探测器在9 MeV质子照射累积强度达到1013 cm-2时,探测器信号电荷收集效率减小量低于3.5%,辐照前后探测器暗电流没有明显变化。计算得到9 MeV质子对该探测器的损伤系数为1.3×10-16 μm-1·cm2。由于γ射线与金刚石作用产生的电子起到了填补缺陷的作用,探测器信号电荷收集效率随γ射线照射剂量的增加略有增加,在γ射线累积照射量达到10.32 C/kg时,其增幅小于0.7%。说明金刚石薄膜探测器具有较高耐辐照强度,适用于高强度辐射测量领域。 相似文献
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