隐埋波导耦合集成化激光器模拟设计

本文设计了一种利用隐埋波导耦合的集成化GaAs/GaAlAs单模激光器。并从四层不对称波导的基本电场方程及其本征方程出发,用计算机模拟方法,计算出该集成型激光器结构参数之间的关系,文中还讨论了在不同a、h(y)、D条件下基侧模的最小隐埋波导宽度W,波导中心厚度h,有效隐埋波导宽度W_(off)与横向光限制的关系.在模拟计算基础上,导出了四层不对称波导的归一化有效折射率b和限制Г_x因子的近似表示式,并得出该激光器最佳结构参数.     

集成GaAs-(CaAl)As双平面条形激光器的模式行为

本文研究了集成GaAs-(GaAl)As双平面条形激光器的模随驱动电流和温度的变化,讨论和分析了通过波导耦合的两个有源腔的相互作用以及横模不稳定性对单纵模工作的影响.     

波导耦合双台面可控单模GaAs-(GaAl)As激光器

本文报道一种波导耦合集成型双台面GaAs-(GaAl)As激光器.它具有电、光注入锁模放大特性.控制二个台面的同步脉冲电流稍高于阈值时,可使激光器工作在单纵模、基横模,激射光谱半宽(?)λ约1～1.6(?).当环境温度变化1～2℃时,也能获得单模输出.     

隐埋波导耦合GaAs/(GaAl)As纵模可控集成激光器

本文报告一种带输出波导的沟道条形集成激光器的设计、制作和测量结果.通过沟道内的凸透镜型两维无源波导,使两个激光器的光辐射相互耦合注入进行选频放大,从而获得单纵模激光输出.     

掺铁InP肖特基势垒增强InGaAs MSM光电探测器

采用ＬＰ－ＭＯＶＰＥ方法及常规器件工艺制成了ＩｎＰ：Ｆｅ肖特基势垒增强ＩｎＧａＡｓＭＳＭ光电探测器。用自建测试系统对其直流和瞬态特性进行了测试，测试结果表明，器件的击穿电压大于１０Ｖ，２Ｖ偏压下暗电流为１７０ｎＡ，对应的暗电流密度约为３ｍＡ／ｃｍ２；瞬态响应中上升时间ｔｒ为２１ｐｓ，半高宽ＦＷＨＭ为７５ｐｓ。     

异质结材料及其表面金属膜的俄歇能谱研究

本文阐述主要使用AES研究单层或多层InP/InGaAsP异质结材料的界面,发现晶格失配会引起组分缓变。另外也分析了各种不同温度下的欧姆接触,观察到各金属之间及金属/半导体界面上的相互扩散情况。     

GaAs IMSM光电探测器及其与FET的单片集成研究

采用S.I.GaAs衬底上MBE生长的两层结构外延材料制作了IMSM-PD并与采用离子注入材料制作的IMSM-PD的特性进行了比较,结果表明采用MBE材料的器件特性较优,在5V偏置电压下暗电流小于1nA。已将IMSM-PD与MESFET放大电路进行了单片集成构成光接收器。     

“新月”形隐埋波导耦合集成型激光器的动态特性分析

本文在载流子扩散方程的基础上,用龙格一库塔、辛普生等数值分析法,对“新月”形隐埋波导耦合集成型激光器进行了动态特性分析。分析了器件结构参数的影响。探索降低阈值电流的途径。文内还指出了进一步提高器件质量和改进的方向。     

胺型离子交换液中的混合离子集团

由胺型离子交换液与低介电常数溶剂所形成之溶液的结构,Fuoss等已有较多的研究,并指出电解质是以离子集团状态存在。如溶液中含有几种电解质,则应有混合离子集团存在的可能。     

GRINSCH—SQW激光器波导特性的数值分析

采用折射率台阶近似法将梯度折射率分别限制异质结单量子阱(GRINSCH—SQW)激光器波导结构中的缓变折射率层离散成折射率近似为常数的亚层,从而推导出此波导的近似本征方程,并用数值计算求解出波导对于基模的等效折射率。在此基础上,通过计算波导中垂直于激光器结平面方向上的光强近场分布,计算出与激光器的阈值电流有密切关系的光学常数——激光器有源层的光限制因子P以及各种波导结构参数对P的影响,同时计算了激光器的远场图形。计算结果可用于GRINSCH-SQW激光器波导结构参数的优化设计。