使用硫化物纳米前驱物墨水法制备铜铟硫薄膜

提出了一种通过反应烧结来制备CuInS₂多晶薄膜的低成本旋涂工艺路线．通过将前驱物粉末在氢气中预还原的方法来优化旋涂时使用的墨水成分,氢气还原会使前驱物纳米粉末从硫化物混合粉末转变成CuInS₂和Cu-In合金的混合物．扫描电子显微镜、电子能谱、X射线衍射以及拉曼图谱的结果表明,这种优化能极大的提高CuInS₂多晶薄膜的性能,其中包括薄膜的排列密度更高,杂质相减少,薄膜质量变得更好等．吸收光谱测得优化后的铜铟硫薄膜的带隙约为1.45 eV．     

PLD法制备钴掺杂的氧化锌薄膜及其生长形貌和光学性能

用脉冲激光沉积(PLD)方法,在蓝宝石(0001)衬底上,制备了高度c轴取向的Zn1-xCoxO(x=0,0.02,0.05,0.07,0.1)薄膜。X射线衍射(XRD)分析表明,当钴掺杂量≤10mol%时没有出现其他杂峰,即没有出现分相。XPS分析显示Co离子在薄膜中以+2价的形式存在。进一步验证Co2+离子进入ZnO的晶格,对掺钴浓度不同的样品进行了UV-Vis吸收光谱测量。从UV-Vis吸收光谱可以看出随着掺杂浓度的增加,带隙逐渐变窄,证明Co2+取代了Zn2+而进入了ZnO晶格中。从原子力显微镜(AFM)形貌表征可以看出,随着钴掺杂量的提高,ZnO薄膜的表面起伏度有所减小,而且生长晶粒细化,从生长动力学的角度对生长形貌的改善进行了解释。