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1.
高温超导移动电话基站子系统可以明显提高基站的性能,因此受到广泛的重视。我们利用一个高性能超导滤波器,低噪声放大器,脉冲管制冷机和有关的微波线路集成了一台完整的高温超导移动通讯基站子系统原理性样机。该子系统是针对DCS1800基站系统,频段为1710-1785MHz,系统增益为18dB,该子系统是国内研制成功的首台原理性样机。这表明对高温超导微波器件的应用研究已取得了阶段性的重要成果。性能更好的实用子系统样机正在研制中。  相似文献   
2.
各位常务理事、各位会长、秘书长:根据本次会议的安排,受迟海滨会长和王朝才秘书长委托,就如何做好宣传工作、办好协会会刊,充分发挥《珠算与珠心算》舆论喉舌作用,促进珠心算教育事业发展问题,我讲几点意见,仅供大家讨论时参考。一、做好新时期宣传工作刻不容缓宣传工作是珠协工作的重要组成部分,充分发挥会刊的作用,努力做好珠算心算宣传工作,这不仅是办刊的主办单位,也是各级珠协一项长期工作任务。(一)重视宣传、办好会刊是珠心算发展的客观要求首先,做好宣传工作是珠协工作发展的需要。弘扬珠算文化、发展珠心算教育,实现开发儿童智力潜能的目的,是各级珠协的中心任务,围绕这一“中心”开展的科教工作与各种活动,方方面面都涉及一个宣传力度问题。可通过电视、电台、报纸等媒体做舆论宣传,是需要一定资金支持的,而以目前珠协组织的现状与实力,还不能做到充分利用各种媒体的宣传为珠算心算事业发展服务,所以我们只能以会刊为主要载体强化对珠协工作的宣传。俗话说“干啥就吆呼啥”,我们正在从事的是一项“功在当代、利在千秋”造福子孙的事业,你自己不说别人怎么知道?因此围绕开发儿童智力潜能这个“中心”做好宣传,共同努力办好会刊显得尤为重要,必须提上重要议事日程。...  相似文献   
3.
按照传统中医学理论可把水果分为四性,应用多种判别法对其进行统计分析,得到不同营养成分对水果四性的影响,初步探讨水果四性的生化参数及生化机理.  相似文献   
4.
2000年7月,政府机构改革后,我们在省财政厅的大力支持下,进行了为期三年的省级珠协自身基础建设。三年来,我们的各项工作都是围绕“内强素质、外树形象”、强化珠协基础建设的目标展开的,省珠协机关上下一心、开拓进取,扎实工作、奋发拼搏,走出了珠协工作低谷,创造了全面发展的良好势头,奠定了珠算心  相似文献   
5.
本文对P>1的情形给出不可微泛函I(u,G)= ∫FG(x,u, ↓△)dx的(1 cR^2u)一极小问题解梯度的Holder连续性证明。  相似文献   
6.
本文讨论上层目标函数以下层子系统目标函数的最优值作为反馈的一类二层凸规划的对偶规划问题 ,在构成函数满足凸连续可微等条件的假设下 ,建立了二层凸规划的 Lagrange对偶二层规划 ,并证明了基本对偶定理 .  相似文献   
7.
8.
By employing an inverse-scattering transformation, the exact solution of an N-soliton train in the spin chain with a time-dependent magnetic field is derived. As a special case the one-soliton solution (N = 1) exhibits explicitly the spin precession around the magnetic field and periodic shape-variation induced by the time varying field as well. In terms of the general solution, inelastic two-soliton collision is analysed. The inelastic collision, by which we mean the soliton shape-change before and after collision, appears generally due to the time varying field.  相似文献   
9.
各位老师、同志们: 新年伊始,我们在省实验教学中心召开全省首次珠心算与幼教整合现场会,这是我省以整合教育为目的,围绕珠心算服务幼教、有效开发儿童智力召开的专题会议。在此,首先我代表黑龙江省珠算协会向大家致以新年问候!同时,对千里迢迢来我省观摩本次会议和参加师资培训的河南省焦作市、广东省湛江市、河北省邢台市、内蒙古新巴尔虎左旗等兄弟省市的同行和前来参加培训的教师表示热烈的欢迎!  相似文献   
10.
萨宁  康晋锋  杨红  刘晓彦  张兴  韩汝琦 《物理学报》2006,55(3):1419-1423
研究了HfN/HfO2高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中,负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO2高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm,内含原生缺陷密度较低.研究表明,由于所制备的HfN/HfO2 高K栅结构具有低的原生缺陷密度,因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征,而非工艺缺陷引起的;进一步研究表明,该HfN/HfO2高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO2基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征,可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征: HfN/HfO2 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理,即在负 偏置和温度应力作用下,从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生,并由此产生了Si陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ,这种Si陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生. 关键词: 高K栅介质 负偏置-温度不稳定性(NBTI) 反应-扩散(R-D)模型  相似文献   
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