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1.
LPCVD Si基转换生长3C-SiC薄膜的光学性质初探
杨治美
张云森
廖熙
杨翰飞
晋勇
孙小松
龚敏
《光散射学报》
2009,21(4):304-308
本文采用LPCVD技术在高温条件下, 利用甲烷和氢气混合气体作为碳源, 在n-Si(111)衬底上制备3C-SiC薄膜。通过XRD、XPS、SEM、FT-IR和PL研究发现: 温度对3C-SiC薄膜的形貌和晶体质量有较大的影响, 并且生长温度对3C-SiC薄膜的780 cm-1左右的FT-IR反射峰强度影响非常大; 在室温测试条件下, 3C-SiC薄膜有较强的蓝光波段的荧光峰。
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