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1.
董丽芳  岳晗  范伟丽  李媛媛  杨玉杰  肖红 《物理学报》2011,60(6):65206-065206
在大气压氩气介质阻挡放电中,首次通过跃变外加电压得到了稳定的靶波斑图.实验分别研究了跃变再缓变和直接跃变升压模式下靶波斑图的稳定性和波长选择.研究发现,跃变再缓变升压之后得到的靶波斑图不稳定,其与螺旋波相互转换.在这种转换中,靶波每次出现的时间为几十毫秒.直接跃变升压得到的靶波斑图稳定性明显增强,其稳定时间通常为5 min以上.比较不同升压模式下靶波斑图的波长,发现直接跃变升压模式下波长随电压升高减小较快.综上表明,升压模式对靶波斑图的稳定性和波长都有影响. 关键词: 介质阻挡放电 靶波斑图 跃变升压 缓变升压  相似文献   
2.
朱亚波  鲍振  蔡存金  杨玉杰 《物理学报》2009,58(11):7833-7837
运用分子动力学方法具体模拟研究单个碳纳米管(CNTs)在加热过程中的结构变化.选择多组不同结构的单壁碳纳米管(SWCNTs)和双壁碳纳米管(DWCNTs)作为研究对象,加热温度从室温开始到4000 K,压强保持为1 atm.结果表明单壁碳管中手性型结构热稳定性最好,其次是扶手椅型和锯齿型,当手性角相同时,直径大的热稳定性更高;对于双壁碳管,研究表明当双壁中至少之一为手性结构时其热稳定好,而内外壁均为锯齿结构的稳定性最差,该结果进一步支持了有关单壁碳管的结论;还从理论上探索了描述结构热稳定性的方式,并在键层 关键词: 单壁碳纳米管 双壁碳纳米管 分子动力学方法 热稳定性能  相似文献   
3.
偏最小二乘吸光光度法测定混合染料浓度   总被引:2,自引:0,他引:2  
用偏最小二乘(PLS)及阻尼因子矩阵(CPA)吸光光度法测定混合染料浓度,两种方法所得结果相一致,用于测定四元混合染料中单一染料,结果较为满意。  相似文献   
4.
不同电介质结构下介质阻挡放电特性研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
董丽芳  杨玉杰  刘为远  岳晗  王帅  刘忠伟  陈强 《物理学报》2011,60(2):25216-025216
设计制作了单面有氧化铟锡(ITO)导电介质层的双玻璃介质层的介质阻挡放电装置,研究了其放电特性,并将其与双玻璃介质层和单玻璃介质层的介质阻挡放电进行了比较.从电荷输运的角度分析,上述三种装置分别实现了电荷的二维、零维和三维输运.采用两种不同的双玻璃介质层装置,获得了单个稳定的放电丝.与无ITO导电层的双玻璃结构得到的单个放电丝相比,单面有导电ITO介质的双玻璃结构中,单放电丝呈"T"字型,其光晕是前者光晕的2倍,其放电电流大于前者电流,其放电时间间隔长短交替现象更为明显,且存在强度大小交替的现象.分析表明,壁电荷输运及二次电子发射的不同导致了不同电介质结构放电特性的不同. 关键词: 介质阻挡放电 壁电荷 二次电子发射  相似文献   
5.
大气压等离子体炬电子密度的光谱诊断   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
董丽芳  刘为远  杨玉杰  王帅  嵇亚飞 《物理学报》2011,60(4):45202-045202
利用空心针-板放电装置产生了大气压等离子体炬,采用光谱法测量了其内部及表面的电子密度. 向空心针中通入氩气,在大气环境中产生了长度为1cm的等离子体炬.实验分别测量了Hα谱线和ArⅠ(696.54nm)谱线,通过反卷积方法分离出其相应的Stark展宽,并由此计算了电子密度.结果发现,采用Hα谱线和ArⅠ(696.54nm)谱线Stark展宽计算得到的等离子体的电子密度分别为1.0×1015cm-3和3.78×1015关键词: 等离子体炬 电子密度 气体温度 Stark展宽  相似文献   
6.
一些金属,在高温下,能与碳元素形成耐高温、热稳定性好的金属碳化物,碳化钽就是其中之一种。它具有很高的熔点,(4270°K),很低的蒸气压,能导电,化学上惰性,是理想的涂层碳化物。本文讨论了用于石墨炉原子吸收分析的钽化-热解石墨管的处理技术及其分析性能,比较了不同类型涂层石墨管的分析效果。实验表明,钽化-热解管具有热解涂层管和碳化钽涂层管的优点,分析灵敏度高,重现性好,使用寿命长。钽化-热解管制作简单,价格低廉,可在一般分析实验室中推广应用。  相似文献   
7.
董丽芳  杨玉杰  范伟丽  岳晗  王帅  肖红 《物理学报》2010,59(3):1917-1922
在氩气和空气混合气体介质阻挡放电中,研究了放电丝结构随外加电压及气体压强的变化,并从二维体系相变的角度进行了分析.随着电压的增加,放电丝结构的演变过程为:稀疏的随机放电丝—稠密的随机放电丝—六边形结构—超六边形结构—混沌态,此过程相应于二维体系的气相—液相—简单晶体—超点阵晶体—液相的相变过程.实验还研究了相变过程中超六边形形成中晶格常数及相邻格点间距离的变化、超六边形结构中大点的形成过程以及超六边形结构的Penta-Hepta缺陷.  相似文献   
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