排序方式: 共有4条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
主要利用俄歇电子能谱(AES)研究了室温下铀、UO2与表面铝薄膜之间的界面反应,以及退火对界面反应的影响。在俄歇电子能谱仪超高真空室中,利用Ar^+枪溅射铝靶,使其分别逐步沉积到铀基体与UO2表面上,然后利用电子枪适时采集表面俄歇电子能谱,研究膜基界面反应。 相似文献
2.
主要利用俄歇电子能谱(AES)原位分析了室温下铀与UO2表面铝薄膜的生长行为。在俄歇电子能谱仪超高真空室中,利用Ar^+枪溅射铝靶,使其沉积到铀基体上,然后利用电子枪适时采集表面俄歇电子能谱,原位分析铝薄膜的生长过程。在UO2表面沉积铝膜时,先往真空室中充入氧气,将清洁铀表面氧化成UO2,然后再溅射铝靶原位沉积制备铝薄膜。 相似文献
3.
4.
利用俄歇电子能谱(AES)和二次离子质谱(S1MS)分析了金属铀试样在H2气氛中的初始表面反应。虽然,将铀在H2气氛中加热,可制备出UH3化合物,在523K时该反应是非常迅速的,并能使金属完全反应,由于H2是非常小的分子,它容易透过氧化膜扩散进入金属体内从而形成UH3。但是,UH3在高温是不稳定的,当温度升高后,UH3将分解成U+3/2H2,而H2会从铀中扩散出来。 相似文献
1