Doping-driven orbital-selective Mott transition in multi-band Hubbard models with crystal field splitting

We have studied the doping-driven orbital-selective Mott transition in multi-band Hubbard models with equal band width in the presence of crystal field splitting. Crystal field splitting lifts one of the bands while leaving the others degenerate. We use single-site dynamical mean-field theory combined with continuous time quantum Monte Carlo impurity solver to calculate a phase diagram as a function of total electron filling N and crystal field splitting Δ. We find a large region of orbital-selective Mott phase in the phase diagram when the doping is large enough. Further analysis indicates that the large region of orbital-selective Mott phase is driven and stabilized by doping. Such models may account for the orbital-selective Mott transition in some doped realistic strongly correlated materials.     

吐哈盆地西缘艾维尔沟矿区煤储层吸附特征及其影响因素研究

为查明吐哈盆地西缘艾维尔沟矿区煤储层吸附特征,本文系统收集整理了煤岩煤质资料、等温吸附数据并对其进行分析,揭示了煤储层吸附特征并分析了埋深、煤阶、显微煤岩组分、煤质与吸附特征之间的关系.研究结果表明:研究区煤储层兰氏体积介于14.37～27.84 m3/t之间,平均为25.07 m3/t;兰氏压力介于1.14～3.45...     

一种实用型调压电路的设计与应用

本文分析了在制作风力发电系统的过程中,需要引入调压电路,根据实际情况,选用了LM25 77-ADJ作为主控芯片,设计电路实现了调压功能,接入系统后运行稳定,效果良好,达到了预期的目标。     

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介绍了EAST真空室内巡视系统(IVVS)系统对EAST真空室第一壁进行巡检操作的工作原理,并基于系统部分材料出气率测试对其真空性能进行了分析.获得了在有效抽速为1064L·s–1的条件下,IVVS系统试验样机所采用的真空容器的极限真空度为3.37×10–3Pa.为优化IVVS真空性能,结合材料放气率试验,将部分材料更换为放气率低的材料,对系统进行烘烤处理,并对其中的相关结构提出了优化方案.优化后系统的真空性能有明显提高,在同等抽速条件下的极限真空度在1×10–4Pa范围内,能够满足EAST接受的真空环境要求.此外,抽气机组增添低温泵可以更进一步提高系统的真空性能.     

集成电路研发的市场需求趋势探究

随着社会的发展以及电子信息技术的发展,集成电路在国防、信息安全甚至是人们日常生活中的作用越来越重要,集成电路的研发和市场化发展已经成为衡量一个国家综合实力发展的重要指标。通过阐述集成电路研发的意义,分析集成电路研发市场需求发展的趋势和面临的挑战,从而提出相应的应对措施,从而促进集成电路研发适应市场发展的需要。     

EAST真空室内巡视系统的真空性能研究分析

介绍了EAST真空室内巡视系统(IVVS)系统对EAST真空室第一壁进行巡检操作的工作原理,并基于系统部分材料出气率测试对其真空性能进行了分析。获得了在有效抽速为1064L•s^–1的条件下,IVVS系统试验样机所采用的真空容器的极限真空度为3.37×10^–3Pa。为优化IVVS真空性能,结合材料放气率试验,将部分材料更换为放气率低的材料,对系统进行烘烤处理,并对其中的相关结构提出了优化方案。优化后系统的真空性能有明显提高,在同等抽速条件下的极限真空度在1×10^–4Pa范围内,能够满足EAST接受的真空环境要求。此外,抽气机组增添低温泵可以更进一步提高系统的真空性能。