排序方式: 共有16条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
分别采用紫外光电子能谱(UPS)、X光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)、以及光致发光光谱(PL)等方法对在大气存放条件下的8-羟基喹啉铝(Alq)薄膜和聚(9,9-二辛烷基芴)(PFO)薄膜的电子结构、表面形 及发光特性进行了对比。研究结果表明,PFO的电子结构、表面形貌以及发光特性受外界气氛影响极小,是一种非常稳定的聚合物发光材料。这为聚合物发光器件的稳定性提供了有利的条件。 相似文献
2.
3.
对四种不同结构的吡唑啉化合物在溶液和薄膜中的光致发光行为及作为掺杂染料组成两种不同结构电致发光(EL)器件的发光行为进行了研究。结果表明,具有相同共轭部分,但未成环的腙类化合物,不论在溶液中或在固相条件下,都不能很好的发射荧光。而构成了吡唑啉环的化合物,则在上述两种情况下都有较强的荧光发射能力。在5位处联有苯基的非平面状吡唑啉化合物,由于不易于结晶化而有良好的成膜性能;相反,在5位处无苯环联结者,如EP3,则由于其易于结晶化,因而不利于器件的制作。 相似文献
4.
利用X光电子能谱(XPS)和高分辨电子能量损失谱(HREELS)研究了几种条件下LiF和Al的化学反应.在有Alq3参与的情况下,LiF和Al在室温下发生反应.在Al/LiF/Alq3系统中,Li 1s的峰发生了0.25 eV的位移,同时F 1s也发生了相应的位移.在没有Alq3参与的情况下,加热样品至350 K后,在Li 1s峰的低能端0.85 eV处出现了一个伴峰.XPS研究表明,这个伴峰对应的是金属态的Li 1s.HREELS的结果也验证了这一结论. 相似文献
5.
高效率的有机电致发光器件 总被引:2,自引:0,他引:2
有机电致发光器件 (OL EDs)的发光机理包括电子和空穴从电极的注入、激子的形成及复合发光 ,其中 ,空穴和电子的注入平衡是非常重要的。为了平衡载流子的注入以得到高效率和稳定性好的器件 ,人们不仅使用了电子注入更为有效的 L i F/ Al[1] 和 Cs F/ Al[2 ] 等复合电极 ,同时也使用了空穴缓冲层 ,如 S.A.Van Slyke等 [3]在ITO和 NPB之间使用 Cu Pc,使得器件的稳定性得到了明显的提高 ;A.Gyoutoku等[4 ] 用碳膜使器件的半寿命超过 3 5 0 0小时 ;最近 ,Y.Kurosaka等 [5]和 Z.B.Deng[6 ]分别在 ITO和空穴传输层之间插入一薄层 Al… 相似文献
6.
对四种不同结构的吡唑啉化合物在溶液和薄膜中的光致发光行为及作为掺杂染料组成两种不同结构电致发光(EL)器件的发光行为进行了研究。结果表明,具有相同共轭部分,但未成环的腙类化合物,不论在溶液中或在固相条件下,都不能很好的发射荧光。而构成了吡唑啉环的化合物,则在上述两种情况下都有较强的荧光发射能力。在5位处联有苯基的非平面状吡唑啉化合物,由于不易于结晶化而有良好的成膜性能;相反,在5位处无苯环联结者,如EP3,则由于其易于结晶化,因而不利于器件的制作。 相似文献
7.
8.
9.
Poly-phenylquinoxaline is used as the electroluminescent( EL) materials to fabricate the thin film electroluminescent devices by the spin coating method. Doped with 1,3,5-triphenyl-2-pyrazoline,the EL spectrum of the devices is shifted to the blue-green region with its peak located at 465nm. The incorporation of a hole transport layer,poly-vinylcarbazole,will enhance the EL intensity,and the quantum efficiency is estimated to be 0.2%. Thus,the devices can be driven by either positive or negative bias(or ac voltage) even though the currentvoltage curve possesses a rectifying property. 相似文献
10.
介绍了用高分辨电子能量损失谱(HREELS)研究MgF2与Alq3(八羟基 喹啉)的反应.结果表明无论MgF2蒸镀到Alq3上或Alq3蒸镀到MgF2上,MgF2与Alq3均发生了相同的反应.在反应中,对应于Alq3分子非平面苯环弯曲振动的能量损失峰位置发生了移 动.HREELS的研究结果表明从MgF2中的Mg与Alq3中的Al,O和N相互作用,Mg 的位置处于Alq3分子的平面外.
关键词:
2')" href="#">MgF2
八羟基喹啉
高分辨电子能量损失谱 相似文献