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用UV光照射和不用UV条件下形成的p型α-PSC的PL光谱,2.35eV,2.50eV和2.70eV及3.4eV附近的发射峰已被观察到.研究了不同的制备条件下形成的p型α-PSC的PL谱的稳定性和不同的能量的光激发引起PL谱的差别.结果表明,在电化学腐蚀过程中制备条件对PSC的PL谱有很大的影响,前者在低能区有较强的光发射而后者则在高能区有较强的光发射;前者的光谱稳定性较好而后者发射光谱强度则随时间的增加而减少.对产生这些差别的原因进行了深入讨论.
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