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本文报道用水平滑舟系统液相外延制备n~ InSb/PHg_(1-x)Cd_(?)Te异质结.该异质结外延层厚度在15～25μm之间,由电镜扫描分析出外延层和衬底之间的介面平直,组分过渡很徒.采用该异质结能制备3～5μm(x=0.3)、8～14μm(x=0.2)两波段的红外探测器,从介绍的单元器件的性能来看,该材料是红外焦平面列阵研究方面极有希望的膺选对象. 相似文献
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宫尾、亘池等人[1]采用滑动液相外延技术,在掺Ge的P型InSb衬底片上,生长重掺Te的 n 型外延层.由于n 层的简并所呈现的伯恩斯坦-莫斯(Burster-Moss)位移效应[2,3],使入射光内3—5um大气窗口波段的红外部分能透过n 层而无损耗地抵达耗尽层和P型基片,在体内产生光生载流子而引起高 相似文献
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