一种可拆卸的双近贴紫外成象系统

本文在介绍近贴聚焦的基础上,指出一种用金(An)薄膜作为面电子源的双近贴聚焦紫外成象系统。给出实验样管、系统和某些实验结果,并就决定该系统象质的因素和改善象质的途径进行了必要的分析和讨论。最后,明确地指出Au薄膜光阴极的优点和该系统在象管模拟和MCP特性测试方面的应用。     

高功率808nm InGaAsP—GaAs分别限制结构的半导体激光器

介绍了研究分别限制结构ＩｎＧａＡｓＰ－ＧａＡｓ半导体激光器所得到的最新成果。利用引进的俄国技术，基于量子阱结构的ＩｎＧａＡｓＰ－ＧａＡｓ激光器，可用短时间液相外延技术制造。在ＧａＡｓ衬底上制成的ＩｎＧａＡｓＰ－ＧａＡｓ分别限制结构的激光器，主要参数如下：发射波入λ＝８０８ｎｍ，阈值电流密度Ｊ＝３００Ａ／ｃｍ＾２，对于条宽ω＝１００μｍ的激光器，连续功率为１－２Ｗ。     

1.55μm大光腔激光器

高功率1.55μm激光器长期以来一直为人们所重视和追求.本文通过合理设计,采用适宜的生长技术,首次成功地制备了大光腔结构,从而实现了脉冲输出功率高达2W以上的激光器.器件还具有阈值电流低(宽接触型结构的J_(th)≤2.7kA/cm~2),温度稳定性高(T_0≈130K)的特点,同时具有良好的光谱模式,是这一波段的理想光源.     

InGaAsP—InP大光腔结构激光器

本文针对影响InGaAsP-InP激光器温度特性的各种因素,设计并制备了大光腔(LOC)结构激光器.实验表明,这种结构改善了激光器的温度稳定性,获得了低阈值(宽接触型器件J_(th)≈2.5kA/cm~2),高功率(脉冲输出3W)和高特征温度(T_o=150K)器件.