自由多子尾区俘获动力学及多子俘获截面的测量

本文讨论了自由多子尾被半导体深中心俘获的动力学。指出,当DLTS响应区被局限在尾区端部时,DLTS信号强度与多子脉冲宽度成正比。它可用于多子俘获截面(包括浅杂质浓度较高及多子俘获截面较大的情况)的测量。 关键词：     

硅中金受主能级在单轴应力下瞬态电容的研究

用恒定温度下瞬态电容法研究了硅中金受主能级在沿〈100〉,〈110〉,〈111〉晶向单轴应力作用下的能级移动。考虑到硅的导带在单轴应力下的分裂,导出了单轴应力下深中心中电子发射率的公式。根据该式和发射率的实验数据以及切变畸变势常数Ξ_u,求出了金受主能级激活能随应力的改变。在实验应力范围内(0—9kbar),激活能与应力成线性关系。当应力平行于〈110〉〈111〉晶向时,激活能随应力改变的斜率分别为α_<110>=-3.2±0.6meV/kbar,α_<111>=-0.3±0.6meV/kbar;当应力平行于〈100〉晶向,若取Ξ_u=9.2eV,α_<100>=-5.8±0.8meV/kbar,若取Ξ_u=11.4eV,α_<100>=-5.3±0.8meV/kbar,α表现出强烈的各向异性。进一步确定了金受主能级相对于零压力下导带底的绝对移动的压力系数。若取Ξ_u=9.2eV,这些系数分别为S_<100>=-1.3±0.8meV/kbar,S_<110>=0.7±0.6meV/kbar,S_<111>=-0.7±0.6meV/kbar。如取Ξ=11.4eV,则S_<100>=-3.5±0.8meV/kbar,S_<110>=0.0±0.6meV/kbar,S_<111>=-1.0±0.6meV/kbar。同一组的三个绝对移动值之间的偏离都超过了实验误差这一事实,说明了金中心具有立方对称性,同时中性金与带负电的金的基态都是非简并的可能性很小。 关键词：     

在p型硅MOS结构Si/SiO2界面区中与金有关的界面态和深能级

用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究了金在p型<111>晶向硅MOS结构Si/SiO₂界面区中的行为。结果表明,金与Si/SiO₂界面缺陷H_it(0.494)相互作用形成新的缺陷Au-H_it(0.445),和金在硅的禁带中产生一个能量分布很广的连续界面态,利用这些界面态可以合理地解释金使硅MOS结构平带电压向正方向移动的物理机制。结果还表明,在Si/SiO₂界面附近的半导体中,金施主中心的剖面分 关键词：     

半导体深能级瞬态谱中多子脉冲下的少子陷阱响应

在一个Si中掺Aup⁺n结的多子脉冲下深能级瞬态谱(DLTS)中,发现了一个少子峰信号。给出了这一现象的主要实验结果,并做了系统的物理分析。这是p⁺n结中高掺杂一侧的自由少数载流子尾在自建势所张开的空间电荷区中被少子陷阱俘获后,再发射的结果。 关键词：     

稀土元素Ce热引入Si单晶中及Ce在Si中的扩散系数

利用真空淀积和真空热处理(1050℃,20h)向Si单晶中引入了稀土元素Ce,热处理过程中Ce首先与Si形成合金,然后向Si中扩散,于是在Si中形成Ce的扩散层。用二次离子质谱(SIMS)技术测定了Ce的纵向相对浓度分布,并据此分析了Ce在Si中的扩散系数。并在77—450K范围内测量了扩散层的平均电导率。 关键词：