Nanoscale Thermal Response in ZnO Varistors by Atomic Force Microscopy

We report the application of customer-built scanning thermal microscopy （SThM） based on a commercial atomic force microscope to investigate local thermal inhomogeneity of ZnO varistors. The so-called 3ω method, generally used for measuring macroscale thermal conductivity, is set up and integrated with an atomic force microscope to probe the nanoseale thermal property. Remarkably, thermal contrasts of ZnO varistors are firstly imaged by the SThM, indicating the uniform distribution of spinel phases at triple points. The frequency-dependent thermal signal of ZnO varistors is also studied to present quantitative evaluation of local thermal conductivity of the sample.     

化学键分散剂在PZN－PZT浆料中的分散和性研究

利用异丙醇钛与长羧酸合成了一种化学键分散剂,采用沉降实验及FT－IR技术研究了该分散剂在PZN－PZT浆料中的分散性能,结果表明,该分散剂在PZN－PZT浆料是具有良好的分散性,浆料体系达到稳定状态时所需的分散剂量对应分散剂在颗粒表面上呈单分子层成键状态,分散剂分子与颗粒表面上的羟基发生化学反应,导致二者之间呈较强的化学键结合状态,从而有力地改善了PZN－PZT浆料中的分散性、均匀性。     

PZT铁电薄膜纳米尺度畴结构的扫描力显微术研究

利用扫描力显微术中压电响应模式原位研究了（111）择优取向的PZT60/40铁电薄膜的纳米尺度畴结构及其极化反转行为.铁电畴图像复杂的畴衬度与晶粒中的畴排列和晶粒的取向密切相关.直接观察到极化反转期间所形成的小至30nm宽的台阶结构，该台阶结构揭示了（111）取向的PZT60/40铁电薄膜在极化反转期间其畴成核与生长机理主要表现为铁电畴的纵向生长机理. 关键词： 畴结构 反转机理 PZT薄膜 扫描力显微术     

Ferroelectric Domain Imaging Mechanism in High-Vacuum Scanning Force Microscopy

High-vacuum scanning force microscopy of the domain structures in PMN-PT single crystals is investigated. It has been shown that under high vacuum conditions, the polarization charges are not effectively compensated for by intrinsic screening charges from the ferroelectrics. This result suggests that the electrostatic tip-sample interaction plays a great contribution to the domain imaging mechanism in PMN-PT ferroelectric single crystals under high vacuum conditions.     

相界附近Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbZrO3-PbTiO3固溶体的弛豫相变研究

利用常规电子陶瓷工艺在相界附近合成得到纯钙钛矿相的Pb(Zn1/3Nb2/3)O3PbZrO3PbTiO3(PZNPZT)三元系固溶体,其相界位于Zr/Ti比37/33处.在实验中发现和证实了相界附近PZNPZT三元系固溶体存在铁电弛豫顺电相变.在极化后Zr/Ti比为37/33及39/31PZNPZT样品的介电温度谱观测到菱方四方相相变,认为PZNPZT固溶体相界是向富Zr区弯曲. 关键词：     

PZT铁电薄膜纳米尺度铁电畴的场致位移特性

利用扫描力显微术的压电响应模式，并基于逆压电效应原理，研究了梯度组成的PZT铁电薄膜纳米尺度铁电畴的场致位移特性.获得了源于纳米尺度铁电畴的压电效应和电致伸缩效应贡献的场致位移回滞线，以及源于线性压电效应和电畴反转效应综合贡献的纳米尺度压电位移 场强蝶形曲线，证实了Caspari Merz理论在纳米尺度上的有效性.发现了梯度铁电薄膜存在纳米尺度印刻现象，认为该现象的内因源于薄膜中的内偏场. 关键词： PZT铁电薄膜 场致位移 纳米尺度 扫描力显微术     

化学键分散剂在PZN－PZT浆料中的分散和性研究

利用异丙醇钛与长羧酸合成了一种化学键分散剂,采用沉降实验及FT－IR技术研究了该分散剂在PZN－PZT浆料中的分散性能,结果表明,该分散剂在PZN－PZT浆料是具有良好的分散性,浆料体系达到稳定状态时所需的分散剂量对应分散剂在颗粒表面上呈单分子层成键状态,分散剂分子与颗粒表面上的羟基发生化学反应,导致二者之间呈较强的化学键结合状态,从而有力地改善了PZN－PZT浆料中的分散性、均匀性。     

化学键分散剂在PZN-PZT浆料中的分散性研究

利用异丙醇钛与长链羧酸合成了一种化学键分散剂,采用沉降实验及FT-IR技术研究了该分散剂在PZN-PZT浆料中的分散性能.结果表明,该分散剂在PZN-PZT浆料中具有良好的分散性,浆料体系达到稳定状态时所需的分散剂量对应分散剂在颗粒表面上呈单分子层成键状态,分散剂分子与颗粒表面上的羟基发生化学反应,导致二者之间呈较强的化学键结合状态,从而有力地改善了PZN-PZT浆料中的分散性、均匀性.     

钛酸钡单晶沿垂直解理面方向的超高压电响应的研究

研究了钛酸钡单晶沿着解理面的压电响应. 首先发现在钛酸钡单晶中存在着解理面，当垂直 这一解理面方向施加电场时，得到了超过2000pC/N的超高压电常量d33. 而这一d 33值比沿着自发极化方向〈001〉方向施加电场得到的压电常量（d33〈001 〉=87pC/N）高20多倍. 而且，沿此方向在很低电场强度（低于1kV/mm）下得到了高达0 6%的应变值，这一应变值是同等场强下PMN_PT单晶的10倍之多. 这一结果无疑对发展无铅压 电材料驱动器提供了一种新可能. 关键词： 压电响应 解理面 钛酸钡单晶