对MM-200型磨损试验机摩擦系数计算公式的修正

对ＭＭ－２００型磨损试验机摩擦系数计算公式重新进行了推导和计算,所得公式与原公式相比可降低求解摩擦系数时的误差．原公式在试环与试块之间的接触角增大时,误差也随之增大,使得试验数据的可靠性和可比性严重降低,因此必须对原计算公式进行修正．     

强磁场对真空蒸镀制取Te薄膜的影响

采用强磁场下物理气相沉积方法,在单晶硅、玻璃板和聚乙烯（PET）基片上真空蒸发制取Te膜.结果显示在三种不同的基片上生长Te膜时,4 T强磁场能够加快Te膜的形核长大,增大Te膜的颗粒尺度,使晶粒〈011〉方向取向性增强. 关键词： 真空蒸镀 强磁场 晶面取向 Te薄膜     

硅酸铝短纤维增强ZL109复合材料的磨损机制

采用挤压铸造法制备了硅酸铝（Ａｌ２Ｏ３·ＳｉＯ２）短纤维增强ＺＬ１０９复合材料，并研究了该材料在干摩擦条件下的磨损行为．结果表明：Ａｌ２Ｏ３·ＳｉＯ２短纤维／ＺＬ１０９复合材料的耐磨机制为纤维断裂并在亚表层重新分布和排列形成高硬度的硬化层．这种硬化层的形成使复合材料具有比基体合金更优越的耐磨性．     

3 T强磁场对真空蒸发Zn薄膜晶体结构的影响

在3 T强磁场下采用真空蒸发沉积在玻璃基片上制备了三种厚度分别为1,2,3 μm的Zn薄膜,并和无磁场下制备的薄膜进行了对比研究.对施加磁场和无磁场环境下制备的试样分别进行了X射线衍射研究.研究表明,3 T磁场下制备的Zn薄膜都是沿（002）面取向,而0 T磁场下制备的薄膜随着厚度的增加c轴取向逐渐减弱. 3 T磁场的取向作用可以维持Zn晶粒沿着c轴取向.利用扫描电子显微镜对薄膜表面形貌的研究发现,施加磁场制备的Zn薄膜表面晶粒要比无磁场条件下制备的薄膜有明显的细化.对磁场下Zn原子团形成进行了热力学分析,推导了磁场作用下的临界形核半径r^*_M和临界形核自由能ΔG^*_M.初步分析表明,r^*_M和ΔG^*_M减小从而增加临界形核浓度是Zn晶粒细化的原因. 关键词： 强磁场 晶体结构 真空蒸发沉积 薄膜