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研究了传输栅掺杂,即N+TG和P+TG,对满阱容量以及暗电流的影响。沟道电势分布受传输栅与衬底功函数差的影响,随着钳位光电二极管和浮动扩散节点之间的势垒高度的增加,feedforward效应被抑制,满阱容量增加。另一方面,处于电荷积累状态的沟道可以降低暗电流。基于四管有源像素工作过程进行仿真,结果表明,在曝光期间不加负栅压的情况下,基于P+TG的像素的满阱容量相对N+TG的提高了26.9%,其暗电流为N+TG的0.377倍。当电荷转移效率大于99.999%时,N+TG的开启电压需高于2.3 V,而P+TG的开启电压需高于3.0 V。 相似文献
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二代近贴微通道板(MCP)电子清刷技术 总被引:1,自引:1,他引:0
主要介绍二代近贴微光管MCP了清刷技术研究结果,结合质谱分析对MCP释放的残气对阴极光电发射产生的影响进行讨论。 相似文献
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二供近贴微光管光电阴极转移热铟封技术 总被引:3,自引:3,他引:0
本文主要叙述二代近贴管光电阴极转移热铟封技术,它工艺可靠,技术先进,对提高微光管的总体指标,解决像质差,提高制管成品率等方面都是一种具有广泛实用价值的先进技术。 相似文献
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时间延迟积分型面阵CMOS图像传感器MTF速度失配模型研究 总被引:3,自引:2,他引:1
研究了时间延迟积分型面阵互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器调制传递函数(MTF)速度失配特性,在分析累加级数、像素尺寸、镜头放大倍数、行周期及电机运动速度失配等影响因素的基础上,建立了MTF速度失配模型。基于现场可编程门阵列(FPGA)开发板,搭建面阵CMOS图像传感器实现线阵时间延时积分(TDI)的CMOS测试系统。实验结果表明,在光强为3lx,速度失配M(ΔV/V)<2,8级时间延迟积分与面阵成像相比,MTF值提高50%;当累加级数为8级,速度失配满足M(ΔV/V)=2的速度失配容限时,奈奎斯特频率处的MTF值下降10%,当速度失配达到M(ΔV/V)=10时,MTF值下降35%。 相似文献
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二代微通道板(MCP)放气成份质谱分析 总被引:3,自引:1,他引:2
模拟二代微光管制管工艺,对MCP经不同工艺处理后的放气成份进行分析,发现工艺质量本身是造成MCP污染的主要因素.经改进工艺,提高了制管成品率和管子性能. 相似文献
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三代微光像增强器GaAs负电子亲合势(NEA)光电阴极稳定性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
针对三代管GaAs阴极灵敏度下降问题,开展工艺过程质量研究,分析影响因素并经工艺改进解决阴极不稳定问题 相似文献
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为了解决防离子反馈Al2O3膜污染对三代微光管GaAs光电阴极灵敏度的影响,用四级质谱计对制管超高真空室残气、无膜微通道板(MCP)和带Al2O3膜MCP在电子轰击时的放气成份进行分析。结果表明,带Al2O3膜MCP放出有对阴极光电发射有害的C、CO、CO2、NO、H2O2和CXHY化合物,它们来源于Al2O3膜制备过程的质量污染。经过对制膜工艺质量进行改进,制备出了放气量小于210-9 Pa且无CXHY化合物气体的Al2O3膜。 相似文献
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用四级滤质器对光电阴极碱源材料放气成分进行质量分析,给出分析结果,并讨论所放出的有害气体对制备光电阴极带来的影响。 相似文献