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专业分类

物理学

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出版年

2006年

2篇

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SiO2-羟基表面上金属原子的第一性原理研究 总被引：1，自引：0，他引：1

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姚红英顾晓季敏张笛儿龚新高《物理学报》2006,55(11)

采用第一性原理方法研究了SiO2-羟基表面上几种金属原子的吸附性质,发现In和Ga在SiO2-羟基表面上的结合很弱,而Fe,Co,Ni在该表面上与Si,O形成强的化学键.等势能面和扩散势垒计算表明In(Ga)的扩散激活能只有0.1-0.3 eV,表明这两种原子容易在表面上扩散.这些结果可以定性地解释纳米合成中的一些实验现象. 相似文献

SiO₂-羟基表面上金属原子的第一性原理研究 总被引：1，自引：0，他引：1

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姚红英顾晓季敏张笛儿龚新高《物理学报》2006,55(11):6042-6046

采用第一性原理方法研究了SiO₂-羟基表面上几种金属原子的吸附性质，发现In和Ga在SiO₂-羟基表面上的结合很弱，而Fe，Co， Ni在该表面上与Si，O形成强的化学键.等势能面和扩散势垒计算表明In (Ga)的扩散激活能只有0.1—0.3 eV，表明这两种原子容易在表面上扩散.这些结果可以定性地解释纳米合成中的一些实验现象. 关键词：第一性原理表面扩散结合能金属原子相似文献