数字控制DC-DC Buck变换器中低频振荡现象分析

在考虑采样保持器的作用下,建立了数字控制Buck变换器系统的z域模型,由此揭示了系统发生低频分岔现象的原因.根据系统特征值的变化趋势,预测了该数字控制变换器失稳时分岔点的位置和类型,同时,推导出系统发生低频振荡的频率以及振幅,即系统波动方程.最后,通过PSpice电路仿真实验验证了理论分析结果的合理性与有效性. 关键词： 低频振荡 数字控制 变换器 z域模型')" href="#">z域模型     

Effect of residual stress on nematic domains in BaFe_(2-x)Ni_xAs_2 studied by angular magnetoresistance

We have studied the angular magnetoresistance of iron pnictides BaFe_(2-x)Ni_xAs_2, which shows clear 180 degree periodicity as fitted by a cosine function. In the x = 0.065 sample, the phase of the two-fold symmetry changes 90 degrees above the tetragonal-to-orthorhombic structural transition temperature Ts. Since the phase at low temperature is associated with the rotation of orthorhombic domains by magnetic field, we show that even vacuum grease can push the presence of orthorhombic domains at temperatures much higher than Ts. Our results suggest that residual stress may have significant effects in studying the nematic orders and its fluctuations in iron pnictides.     

SrSnO3作为透明导电氧化物的第一性原理研究

SrSnO₃是一种钙钛矿结构的宽带隙半导体,透明性高、无毒且价格低廉,是一种有前景的透明导电氧化物的候选者.本文通过第一性原理计算,获得了SrSnO₃的电子结构,着重讨论了SrSnO₃的本征缺陷、外界元素掺杂的缺陷形成能及过渡能级,筛选出适宜的掺杂元素并指出了对应的实验制备环境,进一步根据带边能量位置对其电导性能机制进行了探讨.计算结果表明,SrSnO3是一种基础带隙为3.55 eV、光学带隙为4.10 eV的间接带隙半导体,具有良好的透明性,电子的有效质量轻,利于n型电导.在富金属贫氧条件下,As,Sb掺杂SrSnO₃可以提升n型电导率;SrSnO₃的价带顶位于-7.5 eV处,导带底位于-4.0 eV处,其价带顶和导带底的能量位置均相对较低,解释了其易于n型掺杂而难于p型掺杂,符合宽带隙半导体材料的掺杂规律,最后,Sb掺杂SrSnO₃被提出为有前景的廉价n型透明导电材料.     

基于正反馈异或/同或门的低延时混合逻辑加法器设计

针对采用传输管逻辑设计的加法器存在阈值损失以及延时过高等问题, 结合正反馈原理, 提出无阈值损失的低延时正反馈混合逻辑加法器设计方案. 该方案首先分析传输管异或门阈值损失机理, 利用正反馈环电平锁定特性, 设计无阈值损失的正反馈异或/同或门; 然后利用有比逻辑特定晶体管的尺寸差, 以减少正反馈异或/同或门输出延时; 最后融合传输管逻辑、传输门逻辑和静态互补CMOS逻辑等的优点, 实现无阈值损失且低延时的混合逻辑加法器. 在TSMC 65nm CMOS工艺下, HSPICE仿真结果表明, 所设计电路与传输门加法器相比延时和功耗延时积分别降低12.75%和10.88%.     

贻贝中多环芳烃标准物质的研制

研究了贻贝中多环芳烃标准物质的制备方法,对制得的标准物质进行了均匀性、稳定性检验,统计计算检验结果并确定了定值数据。研制的贻贝中多环芳烃标准物质均匀性良好,在一年保存期内稳定,可用于海洋环境监测中。