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1.
本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析. pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题. SiC/SiO2界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实际数值产生偏差. 本文首先从理论上分别分析了沟道深度和界面态对沟道载流子浓度提取结果的影响,然后对两种沟道深度的埋沟MOS结构C-V曲线进行了测试,提取出了沟道掺杂浓度. 在测试中,采用不同的扫描速率,分析了界面态对提取结果的影响. 理论分析结果和实验测
关键词:
C-V法
SiC
隐埋沟道MOSFET
沟道载流子浓度 相似文献
2.
3.
利用水平式低压热壁CVD (LP-HW-CVD) 生长系统,台阶控制生长和衬底旋转等优化技术,在偏晶向的4H-SiC Si(0001) 晶面衬底上进行4H-SiC同质外延生长,生长温度和压力分别为1550℃和104 Pa,用高纯N2作为n型掺杂剂的4H-SiC原位掺杂技术,生长速率控制在5μm/h左右.采用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM),傅里叶变换红外光谱(FTIR)和Hg/4H-SiC肖特基结构对同质外延表面形貌、厚度、掺杂浓度以及均匀性进行了测试.实验结果表明,4H-SiC同质外延在表面无明显缺陷,厚度均匀性1.74%, 1.99% 和1.32%(σ/mean),掺杂浓度均匀性为3.37%,2.39%和2.01%.同种工艺条件下,样品间的厚度和掺杂浓度误差为1.54%和3.63%,有很好的工艺可靠性.
关键词:
4H-SiC
同质外延生长
水平热壁CVD
均匀性 相似文献
4.
本文研究了苯酚、卤代苯酚和多卤代苯酚对 WCl_6-i-Bu_3Al 催化体系在环戊烯开环聚合中的活化效果。实验结果表明:(1)在苯环上至少有两个取代的氯原子的苯酚在芳烃中才能具有高活化作用;在烷烃中至少要有三个取代的氯原子的苯酚,如2,4,6-三氯苯酚、2,3,4,6-四氯苯酚和五氯苯酚,其活化效果才更显著。(2)在无活化剂或活化效果较差的苯酚和一溴苯酚存在下,溶剂效应次序:氯苯>甲苯(苯)>加氢汽油(庚烷、环已烷);在活化效果高的多卤代苯酚存在下,溶剂效应不显现。(3)比较了三种卤代烷基铝的助催化效果,其助催化活性次序:Et_2AlI>Et_2AlCl>Et_2AlBr。(4)双烯烃对环戊烯开环聚合有一定的调聚作用。在实验条件下聚合物反式链节含量没有明显改变。 相似文献
5.
The diffusion behaviours of vanadium implanted p- and
n-type 4H-SiC are investigated by using the secondary
ion mass spectrometry (SIMS).
Significant redistribution, especially out-diffusion of vanadium towards the
sample surface is not observed after 1650℃ annealing for both p-
and n-type samples. Atomic force microscopy (AFM) is applied to the
characterization of
surface morphology, indicating the formation of continuous long furrows
running in one direction across the wafer surface after 1650℃
annealing. The surface roughness results from the
evaporation and re-deposition of
Si species on the surface during annealing. The chemical compositions of
sample surface are investigated using x-ray photoelectron spectroscopy (XPS).
The results of C 1s and Si 2p core-level spectra are presented in detail to
demonstrate the evaporation of Si from the wafer and the deposition of SiO2
on the sample surface during annealing. 相似文献
6.
10 K条件下,采用光致发光(PL)技术研究了不同退火处理后非故意掺杂4H-SiC外延材料的低温PL特性.结果发现,在370—400 nm范围内出现了三个发射峰,能量较高的峰约为3.26 eV,与4H-SiC材料的室温禁带宽度相当.波长约为386 nm和388 nm的两个发射峰分别位于~3.21 eV和~3.19 eV,与材料中的N杂质有关.当退火时间为30 min时,随退火温度的升高,386 nm和388 nm两个发射峰的PL强度先增加后减小,且退火温度为1573 K时,两个发射峰的PL强度均达到最大.
关键词:
光致发光
退火处理
能级
4H-SiC 相似文献
7.
With the combined use of the drift-diffusion (DD) model, experiment measured parameters and small-signal sinusoidM steady-state analysis, we extract the Y-parameters for 4H-SiC buried-channel metal oxide semicon- ductor field effect transistors (BCMOSFETs). Output short-circuit current gain G and Mason's invariant U are cMculated for extrapolating unity current gain frequency in the common-source configuration fT and the maximum frequency of oscillation fmax, respectively. Here fT = 800 MHz and fmax= 5 GHz are extracted for the 4H-SiC BCMOSFETs, while the field effect mobility reaches its peak value 87cm2/Vs when VGs = 4.5 V. Simulation results clearly show that the characteristic frequency of 4H-SiC BCMOSFETs and field effect mobility are superior, due to the novel structure, compared with conventional MOSFETs. 相似文献
8.
Influence of Triangle Structure Defect on the Carrier Lifetime of the 4H-SiC Ultra-Thick Epilayer 下载免费PDF全文
Effect of triangle structure defects in a 180-μm-thick as-grown n-type 4H-SiC homoepitaxial layer on the carrier lifetime is quantitatively analyzed, which is grown by a horizontal hot-wall chemical vapor deposition reactor.By microwave photoconductivity decay lifetime measurements and photoluminescence measurements, the results show that the average carrier lifetime of as-grown epilayer across the whole wafer is 2.59μs, while it is no more than 1.34μs near a triangle defect(TD). The scanning transmission electron microscope results show that the triangle structure defects have originated from 3C-SiC polytype and various types of as-grown stacking faults.Compared with the as-grown stacking faults, the 3C-SiC polytype has a great impact on the lifetime. The reduction of TD is essential to increasing the carrier lifetime of the as-grown thick epilayer. 相似文献
9.
利用电子自旋共振波谱(ESR)仪,分析由低压化学气相沉积(LPCVD)法制备的高纯半绝缘4H-SiC材料本征缺陷.结果发现,在暗场条件下获得的缺陷信息具有碳空位(VC)及其络合物的特征;谱线具有半高宽较大、峰谷明显不对称的特点.分析认为造成ESR谱线半高宽较大及峰谷不对称现象的主要原因是测试温度较高.同时,吸收谱中峰谷不对称现象及较大半高宽现象的出现还与不对称的晶格结构及缺陷浓度的不均匀分布有关.在110 K测试温度下,能级上的电子分布对ESR谱特性影响很小.
关键词:
低压化学气相沉积
高纯半绝缘4H-SiC
电子自旋共振
本征缺陷 相似文献
10.
Formation of the intermediate semiconductor larger for the Ohmic contact to silicon carbide using Germanium implantation 下载免费PDF全文
By formation of an intermediate semiconductor layer (ISL) with a
narrow band gap at the metallic contact/SiC interface, this paper
realises a new method to fabricate the low-resistance Ohmic contacts
for SiC. An array of transfer length method (TLM) test patterns is
formed on N-wells created by P+ ion implantation into
Si-faced p-type 4H-SiC epilayer. The ISL of nickel-metal Ohmic
contacts to n-type 4H-SiC could be formed by using Germanium ion
implantation into SiC. The specific contact resistance ρc as low as 4.23× 10-5~Ωega \cdotcm2 is
achieved after annealing in N2 at 800~°C for 3~min,
which is much lower than that (>900~°C) in the typical SiC
metallisation process. The sheet resistance Rsh of the
implanted layers is 1.5~kΩega /\Box. The technique for
converting photoresist into nanocrystalline graphite is used to
protect the SiC surface in the annealing after Ge+ ion
implantations. 相似文献