砷化镓半导体外延层的电子声成像

本实验利用扫描电子声显微镜对ＣａＡｓ半导体外延片生长缺陷进行了电子声成像。通过分析不同条件下获得的电声图像，讨论了ＣａＡｓ半导体外延片在电声成像中其电声信号的产生机制。实验结果显示这种成像技术在半导体材料微观分析与评价中具有巨大的应用前景。     

GaAs光阴极材料液相外延中溶液配比的研究

本文研究了在GaAs阴极材料液相外延中浴液配比的理论计算值与实验数值的差异。在大量实验数据的基础上,利用数值计算方法,获得了方便、实用的经验公式。用此公式计算出的溶液配比生长出了高质量的GaAs光阴极材料。     

富Sb状态下GaSb/AlGaSb异质结的液相外延生长

本文分析了以往在制作GaSb/Al_xGa_1-xSb结构雪崩光电二极管(APD)中存在的问题,提出了在富Sb状态下进行液相外延(LPE)生长GaSb/AlGaSb异质结APD的方法。经过多次试验获得了在富Sb状态下Al-Ga-Sb三元系相图数据,并且在富Sb状态下液相外延生长出了优良的AlGaSb外延层。