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通过第一性原理计算研究了钨/石墨烯/钨复合材料相比于纯钨金属在力学与热学性质方面的变化,并用氦原子-空位缔合缺陷模拟核聚变辐照损伤评估等离子体辐照条件下的性能。计算结果表明:钨/石墨烯/钨复合材料的体积弹性模量、杨氏模量与剪切模量呈现一定程度的下降,但是提升了钨基材料的延展性;钨/石墨烯/钨复合材料的热膨胀系数有所增加,但是具有较高的最小热导率。本文阐述了石墨烯界面层可以对基体杂质与缺陷进行吸附的独特机制,通过这种机制,钨/石墨烯/钨复合材料在力学、热膨胀系数以及最小热导率有更低程度的衰减,这显示了钨/石墨烯/钨复合材料在抗辐照性能方面具有较大的应用潜力。 相似文献
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利用Raman光谱对结晶紫(Crystal Violet,CV)在纳米磷化镓(GaP)粉体表面的吸附状态进行了分析.结果表明:与普通拉曼散射谱(Normal Raman Scattering,NRS)相比,结晶紫表面增强拉曼散射(Surface Enhanced Raman Scattering,SERS)谱的4种振动模式,即:中央键的呼吸振动、环-C -环面外弯曲振动、环C-H面外弯曲振动以及N-环伸缩振动,在纳米GaP粉体表面得到增强;通过分析吸附前后结晶紫拉曼散射峰相对强度的变化,确定了结晶紫在纳米GaP粉体表面的吸附取向,并对其表面增强散射机理进行了探讨. 相似文献
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本文中,对吸附于纳米磷化镓(GaP)粉体表面的碱性品红拉曼光谱进行了研究。通过将吸附碱性品红与纯碱性品红晶体样品的拉曼光谱进行对比、分析可知,碱性品红在纳米GaP粉体表面发生了化学吸附。在吸附碱性品红样品的拉曼光谱中,位于1200~1320cm-1范围内的光谱特征表明可能有新的化学键(P-O-C+或Ga-O-C+)形成。碱性品红分子的中央碳正离子(C+)与GaP表面具有孤对电子的氧原子形成配位键。红外光谱结果表明,氧原子与纳米GaP粉体表面的磷原子或镓原子键合,以P-O,Ga-O或P-O-Ga形式存在于GaP表面。碱性品红分子的呼吸振动,N-苯环伸缩振动,以及苯环C-C伸缩振动散射强度与纯碱性品红晶体样品相比皆有所增强。N-苯环伸缩振动散射强度增加意味着N原子是除C+离子以外的另一个可以与GaP表面发生化学作用的活性中心,这种化学作用是由N原子与GaP表面存在共轭效应造成的。 相似文献
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利用溶液浇铸法,将4-(4-叔丁基苯氧基)-钒氧酞菁(44VOPc)分别沉积在石英和纳米磷化镓(nano-GaP)薄膜表面,制备44VOPc薄膜和nano-GaP/44VOPc复合薄膜。拉曼光谱分析结果表明,在完全相同的光散射测试条件下,44VOPc薄膜的光散射强度普遍高于nano-GaP/44VOPc复合薄膜。应用复杂网络动力学理论,通过构建薄膜表面形貌复杂网络,对2种薄膜拉曼散射强度之间的差异进行对比分析。表面形貌复杂网络的节点可以视为分子的集合体,而每一个节点又可以作为一个振子。由复杂网络同步性原理可知,振子之间在耦合振动过程中的同步性越好,对应系统的拉曼散射强度越大。 相似文献
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纳米磷化镓粉体还原氦过程的Raman光谱分析 总被引:2,自引:2,他引:0
利用Raman光谱对还原氮后的纳米磷化镓(GaP)粉体进行了表征。结果表明:纳米GaP粉体表面含有Ga-O,P-O和H-O化学键。此外,进行氮还原过程后,在Raman位移约为1700~3300cm^-1范围内(相当于709~800nm或1.55~1.75eV),纳米GaP的Raman光谱出现了一个宽、强荧光发射峰;而在未进行通氮处理的纳米GaP Raman光谱中,没有观察到该荧光峰的存在。本文对该荧光发射峰的起因作了初步分析。 相似文献
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利用动态聚类分析、最小生成树、主成分分析等模式识别方法,对含ZnO半导体材料的样本集中各样本之间在300 K时的晶格匹配与热匹配程度进行了分析。结果表明:在300 K时,三种Ⅲ-Ⅴ族氮化物AlN、GaN、InN与ZnO材料之间的晶格匹配和热匹配程度最好。由最小生成树以及主成分二维映射结果可知两类样本分区明显,分类效果良好,表明利用模式识别方法可对含ZnO样本集中各样本之间的晶格匹配和热匹配程度进行识别。 相似文献