磷化铟中离子注入硅的双性行为研究

本文研究了热靶条件下注Si⁺的磷化铟材料的电学特性和低温光致荧光特性,发现Si⁺单注入样品的薄层载流子浓度随注入剂量的增加而趋于饱和,共P⁺注入后薄层载流子浓度大大增加,低温光致荧光谱研究表明,注Si⁺的磷化铟中存在Si_p-V_p络合物缺陷,共P⁺注入能抑制其形成,表明Si⁺注入磷化铟中呈双性行为,还对Si⁺+P 关键词：     

As在Co/Ti/Si三元固相反应中的分凝效应

在注入As的Si表面上,采用离子束溅射淀积Co/Ti双层金属膜。在氮气氛下对Co/Ti/Si进行多步热处理,研究As原子在Co/Ti/Si三元固相反应过程中的行为。实验采用背散射技术测量As原子在反应各阶段中的分布。结果表明,随着反应形成TiN(O)/Co-Ti-Si/CoSi₂/Si多层薄膜结构,一部分Si衬底中的As原子被分凝出来,向表面运动,并聚集在Co-Ti-Si三元硅化物中。对As原子的这一再分布行为进行了讨论。 关键词：     

BaF2晶体的取向和入射束的剂量对溅射的影响

２７ｋｅＶ Ａｒ^＋离子束沿法向分别入射在ＢａＦ₂单晶（１１１），（１００）和（１１０）的晶面上，用捕获器方法和Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ背散射分析法测定了Ｂａ原子的溅射角分布和溅射产额。结果发现不同取向的晶体表面，它们的溅射产额有明显差异。当用剂量为５×１０¹⁷ｉｏｎ／ｃｍ²的Ａｒ^＋离子分别轰击这三种晶面时，其溅射产额的顺序Ｙ_１００＞ｙ_１１１＞ｙ_１１０．对已被上述剂量辐照过的晶面再作相同剂量轰击时，测得的溅射产额明显增大。这些结果被认为是由于在离子辐照过程中表面晶格受损逐步增大所致。 关键词：