用于强磁场的快响应真空规的研制进展

研制了能在强磁场、强干扰环境下工作的快响应真空电离规(快规),用于对HL 2A装置偏滤器室和等离子体附近的中性粒子密度和通量进行原位测量。介绍了快规的结构、工作原理、设计要点以及实验结果。在无磁场的情况下,快规对气体压强的测量范围为6.4×10-6～0.15Pa,在1×10-5～0.15Pa范围内,快规收集极离子流与发射电子流之比与气压保持良好线性关系;在0 15T的磁场下,快规的规管常数未发生显著变化,在规管对称轴与磁力线的夹角小于15o时,规管常数的变化小于10%。     

固相微萃取GC-MS法测定苹果不同品种中主要芳香成分的研究

利用固相微萃取(solid phase nmicroelraction,SPME)和气质联用技术对目前果汁生产企业主要用于制汁的金帅、澳洲青苹、国光、新红星、富士及秦冠等品种的主要芳香成分进行定性和定量分析,比较不同品种之间芳香成分在种类和含量上的差异。在香气成分的定量分析中,以脱香果汁为基体加入混合标样,采用内标标准曲线法制作标准曲线,消除由SPME带来的系统误差,提高了实验结果的准确性和精确性。     

退火对钛/铜热等静压扩散连接界面的影响

钛/铜(Ti/Cu)作为ITER 第一壁Be/CuCrZr 热等静压连接中间过渡层,形成了多层中间金属相结构,容易在Ti/Cu 金属相之间产生裂纹等缺陷。采用CuCrZr 代替Be,经过与Be/CuCrZr 相同的热等静压工艺,制作了多个CuCrZr/Ti/Cu/CuCrZr 连接件,对Ti/Cu 连接接头进行深入分析。对连接件分别进行未退火、400℃和500℃ 退火处理,去应力退火后对接头强度和缺陷分布的影响进行了研究。研究结果表明,中间钛层的两侧都形成了三层Ti/Cu 扩散层,分别为Cu₄Ti、CuTi 和CuTi₂。纯铜侧的Cu₄Ti 厚度比CuCrZr 侧的厚,使得裂纹几乎全部分布于铜侧的Cu₄Ti 与CuTi 交界处,拉伸样品极易在此处发生脆性断裂。随着退火温度升高,裂纹的产生和扩展减少。     

X射线衍射法研究不同类型淀粉高静压处理后晶体结构的变化

对300, 450和600 MPa不同高静压力下导致的淀粉结晶结构变化进行研究。选择不同类型、不同链/支比的三种淀粉为研究对象,进行高静压处理,利用X射线衍射法分析高静压对不同类型,不同链/支比淀粉晶体结构的影响。结果表明：由于X射线衍射峰加强及相对结晶度增大,糯玉米淀粉在300 MPa表现为韧化作用,在450 MPa结晶结构完全解体,600 MPa时发生重结晶;HylonⅦ淀粉在600 MPa以下的高静压处理只表现出韧化效果,结晶度增加但不明显;木薯淀粉在300 MPa具有韧化作用,600 MPa结晶结构完全消失,表现为韧化-颗粒结晶解体两个过程。因此,本文提出淀粉颗粒在高静压处理过程中经历压缩韧化-晶体结构解体-重结晶三个发展阶段。     

橙汁主要矿质元素含量的特征分析

矿质元素的含量与组成特征是评价橙汁品质与判断橙汁来源的重要指标。采用火焰原子吸收光谱法对我国重庆地区15个橙汁样品中钾,钙,钠,镁四种矿质元素的含量进行了测定,用箱线图和因子分析法对样品元素含量特征进行了分析。结果表明, 橙汁中钾元素含量最高(1 233.75～1 866.23 mg·L-1),其次为镁(77.51～167.15 mg·L-1)和钙(49.32～125.29 mg·L-1)元素,而钠元素含量最低(1.22～9.26 mg·L-1),该结果与欧盟果蔬汁工业协会(AIJN)提供的橙汁鉴伪与质量评价参考值范围基本一致;因子分析的结果表明,橙汁中钠元素含量的不同是区分冬橙与夏橙橙汁的主要因素。研究结果为我国橙汁品质评价、标准体系的建立及鉴伪研究提供了重要的基础数据。     

高热负荷下偏滤器材料的温度测量

用小试样模拟试验测试了不同功率密度下的材料表面温度分布。用热等静压焊接方法制作了钨为表面的模拟偏滤器材料小试样,用 25mm的电子束作为热源,在真空室中用 0.3mm的NiCr NiSi热电偶测量了2～9MW·m-2功率密度下材料表面的温度分布。结果发现在充分冷却的情况下,表面最高温度约400℃,钨铜焊缝处的平均温度达150℃。     

ITER��һ��CuCrZr/316L(N)���ϰ�����������

以CuCrZr合金板为基板,316L(N)-IG不锈钢板为复板,制作了CuCrZr/316L(N)-IG爆炸复合板用于ITER第一壁热沉部件。对其进行了金相试验、硬度测试以及拉伸试验等。结果显示,复合板界面层具有明显的波状组织,平均波长和波高分别为1200μm和500μm,室温下抗拉强度达到394MPa。用复合板制作了6个第一壁小模块,进行质量认证试验,结果表明其满足ITER要求。     

ITER 包层屏蔽块全尺寸原型件的设计与关键制造技术的研发

ITER 包层屏蔽块全尺寸原型件应基于当前的设计方案,满足其物理功能,并符合包层界面的设计要求。另外,在屏蔽块全尺寸原型件的设计中,还要充分考虑关键制造技术的研发结果,例如深孔钻、TIG 焊接、NDT 检测等技术,这些关键制造技术的研发结果,为设计提供了技术保障。该全尺寸原型件的顺利完成并通过ITER 相应认证程序,是中方签署采购的必由环节,也为今后完成采购包奠定了基础。     

Sb在Cu单晶电极上欠电位沉积的电化学和现场STM研究

应用循环伏安法和现场扫描隧道显微镜研究了在HClO4和H2SO4两种溶液中Sb于Cu(111)和Cu(100)电极上的欠电位沉积.结果表明,不同的表面原子排列和强吸附阴离子的存在将明显影响Sb的欠电位沉积行为.在结构较为开放的Cu(100)表面,Sb形成的欠电位沉积层结构也较为开放,并且伴随着表面合金的形成;而在密堆积的Cu(111)表面上,Sb形成了致密的单层结构.又当Cu(111)表面存在强吸附的SO42-时,Sb原子首先在SO42-吸附层与Cu表面交接的新台阶处成核,随后通过取代SO42-向上一层晶面发展,表现出独特的成核—生长行为;而在弱吸附的HClO4溶液中,Sb的欠电位沉积系以在晶面上随机形成一些单原子层高度的Sb岛为特征.在Cu(100)表面,通过SO42-的诱导共吸附,欠电位沉积的Sb原子形成了开放性更大的(4×4)结构,不同于在HClO4溶液中所形成的(22×22)R45°结构.