模板法交流沉积金纳米线的影响因素

使用交流电沉积在多孔氧化铝模板中制备金纳米线,对交流电沉积时阻挡层厚度、交流电压、交流频率等因素进行了系统的研究和探讨。使用交流电沉积制备出了直径30 nm、长度2.1 m的形貌完好、长度均一的金纳米阵列。结果表明模板的阻挡层厚度能够显著影响金属的沉积电位,是保证沉积顺利进行的重要因素。通过记录、分析不同条件下交流沉积过程中时间-电流曲线来对交流沉积过程进行深入研究并提出相应机理。发现同频率下平台电流值不变,纳米线的长度与交流电压大小成正比,而同电压下沉积的平台电流与交流电频率成正比,这些都与阻挡层的半导体特性有关。     

模板法交流沉积金纳米线的影响因素

使用交流电沉积在多孔氧化铝模板中制备金纳米线,对交流电沉积时阻挡层厚度、交流电压、交流频率等因素进行了系统的研究和探讨。使用交流电沉积制备出了直径30 nm、长度2.1 m的形貌完好、长度均一的金纳米阵列。结果表明模板的阻挡层厚度能够显著影响金属的沉积电位,是保证沉积顺利进行的重要因素。通过记录、分析不同条件下交流沉积过程中时间-电流曲线来对交流沉积过程进行深入研究并提出相应机理。发现同频率下平台电流值不变,纳米线的长度与交流电压大小成正比,而同电压下沉积的平台电流与交流电频率成正比,这些都与阻挡层的半导体特性有关。