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磁控溅射制备的铜钒氧化物薄膜及其电化学性能 总被引:1,自引:1,他引:0
采用射频磁控溅射技术在硅基底上分别制备了无掺杂和掺杂Cu的氧化钒薄膜. X射线衍射(XRD)分析和扫描电子显微镜(SEM)观察表明, 无掺杂的薄膜为多晶V2O5, 掺杂Cu的薄膜为非晶态. X射线光电子能谱(XPS)分析结果表明, 掺杂Cu的薄膜为铜钒氧化物膜, 其中Cu离子表现为+2价, V离子为+4与+5价的混合价态. 随着Cu掺杂量的增大, +4价V的含量增加. 电化学测试结果表明, V2O5薄膜在掺杂Cu以后其放电容量有显著的提高, 其中Cu2.1VO4.4薄膜在100次循环后容量还保持为83.4 μA·h·cm-2·μm-1, 表现出较高的放电容量和较好的循环性能. 相似文献
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具有特异电学性质的分子结的制备及电子输运特性研究是分子电子学领域中的主要内容,对构筑分子电子器件具有重要意义.但是,由于分子结的尺度通常在100nm以下,这使得分子结的低缺陷制备和准确有效的电学特性研究面临困难.目前,自组装方法已经成为降低分子结缺陷的主要手段, 相似文献
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在SiO2/Si衬底上面,利用射频磁控溅射方法,在不同的工艺条件下生长ZnO薄膜,然后进行热处理(600~1000℃退火).研究了氩氧比和退火温度对薄膜结晶性能的影响.薄膜的表面结构和晶体特性通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)来进行表征.结果表明:所制备的薄膜为多晶纤锌矿结构,具有垂直于衬底的c轴(002)方向的择优取向性.热处理可使ZnO(002)衍射峰相对强度增强,半峰全宽(FWHM)变小,即退火使c轴生长的薄膜取向性增强.未经退火的ZnO薄膜存在张应力,经过热处理后应力发生改变,最后变成压应力,并且随着退火温度的升高,压应力逐渐增大. 相似文献
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本文探讨LMTO-ASA能带从头计算方法在B1结构晶体研究中的应用。着重研究了该结构MgO晶体的晶格常数、体模量和结合能等有关静态性质以及能带结构计算中添加空原子球的重要作用,采用了一种计算量很小而准确度却与计算量很大的从头计算赝势法相当的LMTO研究方法。该方法对B1结构MgO晶体的晶格常数a0、体模量B0和结合能Ec的计算结果分别为:4.21?,1.58Mbar和5.73eV/atom,与已有实验结果和其它更为复杂的从头计算方法的计算结
关键词: 相似文献
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